Студопедия.Орг Главная | Случайная страница | Контакты | Мы поможем в написании вашей работы!  
 

Вихідні ВАХ. Вихідні характеристики транзистора в схемі зі СЕ є залежністю струму колектора IК від вихідної напруги UКЕ при різних струмах бази IБ (рис



Вихідні характеристики транзистора в схемі зі СЕ є залежністю струму колектора I К від вихідної напруги U КЕ при різних струмах бази I Б (рис. 9.9).

Відомо, що струм I К буде визначатися не напругою U КЕ, а напругою на колекторному переході U КП (рис. 9.9).

U КП (БК)= U БЕ- U’ КЕ

При малих напругах U КЕ (до U КЕ< U БЕ) напруга U КП є прямою. З ростом напруги U КЕ струм I К буде різко зростати. При U КЕ= U БЕ U КП=0, перехід починає закриватися і при U КЕ> U БЕ напруга U КП стає зворотною і зростання струму I К майже припиняється. Характеристики будуть йти більш полого (майже паралельно осі абсцис).

 
 

Рис. 9.9. Вихідні ВАХ БТ зі СЕ

Отже на ВАХ БТ зі СЕ (рис 9.9) можна виділити дві ділянки: одна – до напруги U’ КЕ, інша – при U КЕ >U’ КЕ. На першій ділянці струм I К зростає швидко при збільшенні U КЕ, на другій ділянці – повільно. При знятті вихідних ВАХ необхідно підтримувати постійним струм І Б. Для цього необхідно збільшувати U БЕ, що збільшує струм I К. Чим більше струм І Б, тим більше потік дірок із Е у К, тобто струм I К. Це свідчить проте, що струм I К управляється струмом I Б.

При дуже малих та великих струмах бази характеристики розміщуються густіше, ніж при малих та середніх, що пояснюється залежністю коефіцієнта передавання струму бази b від струму емітера (колектора), яка має визначений максимум.

При I Б = 0 виникає режим з розімкнутою базою. В цьому випадку напруга U КЕ розділяється між двома p-n переходами і прикладається, в основному, до колекторного переходу, тому що він має більший опір. Це може привести до його пробоя.

З відомого співвідношення

I К = b ∙ I Б + I КЕ0,

враховуючи, що I Б = 0, запишемо I К = I КЕ0,

де I КЕ0 = I КБ0.

При I Б < 0 струм колектора буде I КБ0. Це є режим відсічки (РВ). При збільшенні U КЕ аж до відкриття нових переходів струм I К збільшується і виникає режим насичення (РН) – ділянка 1.

I К = b ∙ I Б6 + I КЕ0,

При великих напругах U КЕ відбувається лавинне розмноження носіїв заряду в колекторному переході, струм I К стрімко зростає і настає пробій.

В області активного (АР) режиму (ділянка 2) вихідні ВАХ можна апроксимувати виразом

I К = b ∙ I Б6 + I КЕ0 + ,

де r К – опір КП.

Таким чином, в схемі зі СЕ струм колектора I К в робочій області слабо залежить від колекторної напруги U КЕ, а в основному визначається струмом бази I Б. Оскільки на відміну від електронних ламп транзистори управляються струмом, цікавою була б залежність струму колектора від струму бази , яка б дозволила відразу знаходити коефіцієнт підсилення транзистора за струмом. Ця характеристика рідко наводиться у довідниках, проте вона є наочною.

З ростом температури характеристики зміщуються вверх і збільшується їх нахил (рис. 9.10). Це небажано змінює режим транзистора і тому параметри вузла.

 
 

Рис. 9.10. Вплив температури на вихідні ВАХ БТ зі СЕ





Дата публикования: 2014-12-08; Прочитано: 531 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!



studopedia.org - Студопедия.Орг - 2014-2024 год. Студопедия не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования (0.007 с)...