Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
Имена биполярных транзисторов в библиотеке компонентов – NPN и PNP. Путь к биполярным транзисторам: Component→Analog Primitives→Active Devices.
← n-p-n транзистор (NPN) | |
← p-n-p транзистор (PNP) |
Биполярные транзисторы имеют основные атрибуты: PART <имя> и MODEL <список параметров модели>. Определение атрибута MODEL возможно несколькими способами. Если компонент будет использоваться в нескольких схемах, то его целесообразно ввести в библиотеку моделей компонентов. В этом случае в поле атрибута MODEL вводится лишь имя биполярного транзистора из библиотеки моделей, например, MODEL=USER. При этом имя транзистора можно выбрать из уже имеющихся в библиотеке имен щелчком мыши. Список имен, имеющихся в библиотеке, высвечивается в правом поле окна атрибутов. Если необходимо внести в библиотеку моделей новый транзистор с новыми параметрами, то поступают следующим образом. Для обращения к библиотеке моделей выполняют команду File→Open. В открывшемся окне выбирается из списка типов файлов файлы библиотеки Model Library по расширению.lbr. В результате открывается список с именами имеющихся в программе библиотек. Выбирается библиотеку по ее имени в списке. Открывается выбранная библиотека. Открывается окно со списком моделей компонентов данной библиотеки. В этом окне выбирается интересующий компонент с именем NPN или PNP. Открывается окно с именами и параметрами биполярных транзисторов. Для добавления в библиотеку нового транзистора необходимо нажать кнопку Add. В левом окне с именем Name List в конце списка появляется строка с именем New. В правом поле параметров устанавливаются параметры модели по умолчанию, которые возможно редактировать с учетом значений параметров требуемой модели. Далее необходимо присвоить новому транзистору имя в библиотеке моделей, которое будет появляться в правом поле окна атрибутов. Для этого вводиться новое имя в окне Name (слева вверху окна компонента), например USER. Щелкнув мышью в строке New, переносим имя USER в эту строку вместо New. После этого введенный транзистор можно использовать в любой другой схеме. Важно, что при выборе имени транзистора из библиотеки моделей в окне атрибутов, параметры модели транзистора автоматически записываются в окно текстового отображения схемы. Поэтому определение атрибута MODEL возможно путем использования уже существующей модели из правой части окна атрибутов с последующей корректировкой параметров в текстовом окне МС редактора.
Кроме описанных способов пользователь может осуществить ввод параметров в поле атрибута MODEL в виде текста. Обозначения наиболее важных параметров биполярного транзистора следующие:
Обозначение | Параметр | Размерность | Значение по умолчанию |
IS | Ток насыщения при температуре 27оС | А | 10−16 |
BF | Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с общим эмиттером (без учета токов утечки) | − | 102 |
BR | Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с общим эмиттером | − | |
NF | Коэффициент неидеальности в нормальном режиме | − | |
NR | Коэффициент неидеальности в инверсном режиме | − | |
VAF | Напряжение Эрли в нормальном режиме для модели Гуммеля-Пуна | В | ∞ |
VAR | Напряжение Эрли в инверсном режиме для модели Гуммеля-Пуна | В | ∞ |
RC | Объемное сопротивление коллектора | Ом | |
RE | Объемное сопротивление эмиттера | Ом | |
RB | Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер | Ом | |
TF | Время переноса заряда через базу в нормальном режиме | с | |
TR | Время переноса заряда через базу в инверсном режиме | с | |
CJE | Емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении | пФ | |
VJE(PE) | Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер | В | 0,75 |
MJE(ME) | Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода | − | 0,33 |
CJC | Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении | Ф | |
VJC(PC) | Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор | В | 0,75 |
MJC(MC) | Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода | − | 0,33 |
CJS(CCS) | Емкость коллектор-подложка при нулевом смещении | Ф | |
VJS(PS) | Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка | В | 0,75 |
MJS(MS) | Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка | − | |
KF | Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкерного шума | − | |
AF | Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкерного шума от тока через переход | − |
С полным списком параметров биполярного транзистора, воспринимаемых программой МС, можно ознакомится в [1, 2, 3].
Дата публикования: 2014-12-28; Прочитано: 396 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!