Студопедия.Орг Главная | Случайная страница | Контакты | Мы поможем в написании вашей работы!  
 

Биполярные транзисторы



Имена биполярных транзисторов в библиотеке компонентов – NPN и PNP. Путь к биполярным транзисторам: Component→Analog Primitives→Active Devices.

← n-p-n транзистор (NPN)
← p-n-p транзистор (PNP)

Биполярные транзисторы имеют основные атрибуты: PART <имя> и MODEL <список параметров модели>. Определение атрибута MODEL возможно несколькими способами. Если компонент будет использоваться в нескольких схемах, то его целесообразно ввести в библиотеку моделей компонентов. В этом случае в поле атрибута MODEL вводится лишь имя биполярного транзистора из библиотеки моделей, например, MODEL=USER. При этом имя транзистора можно выбрать из уже имеющихся в библиотеке имен щелчком мыши. Список имен, имеющихся в библиотеке, высвечивается в правом поле окна атрибутов. Если необходимо внести в библиотеку моделей новый транзистор с новыми параметрами, то поступают следующим образом. Для обращения к библиотеке моделей выполняют команду File→Open. В открывшемся окне выбирается из списка типов файлов файлы библиотеки Model Library по расширению.lbr. В результате открывается список с именами имеющихся в программе библиотек. Выбирается библиотеку по ее имени в списке. Открывается выбранная библиотека. Открывается окно со списком моделей компонентов данной библиотеки. В этом окне выбирается интересующий компонент с именем NPN или PNP. Открывается окно с именами и параметрами биполярных транзисторов. Для добавления в библиотеку нового транзистора необходимо нажать кнопку Add. В левом окне с именем Name List в конце списка появляется строка с именем New. В правом поле параметров устанавливаются параметры модели по умолчанию, которые возможно редактировать с учетом значений параметров требуемой модели. Далее необходимо присвоить новому транзистору имя в библиотеке моделей, которое будет появляться в правом поле окна атрибутов. Для этого вводиться новое имя в окне Name (слева вверху окна компонента), например USER. Щелкнув мышью в строке New, переносим имя USER в эту строку вместо New. После этого введенный транзистор можно использовать в любой другой схеме. Важно, что при выборе имени транзистора из библиотеки моделей в окне атрибутов, параметры модели транзистора автоматически записываются в окно текстового отображения схемы. Поэтому определение атрибута MODEL возможно путем использования уже существующей модели из правой части окна атрибутов с последующей корректировкой параметров в текстовом окне МС редактора.

Кроме описанных способов пользователь может осуществить ввод параметров в поле атрибута MODEL в виде текста. Обозначения наиболее важных параметров биполярного транзистора следующие:

Обозначение Параметр Размерность Значение по умолчанию
IS Ток насыщения при температуре 27оС А 10−16
BF Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с общим эмиттером (без учета токов утечки) 102
BR Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с общим эмиттером  
NF Коэффициент неидеальности в нормальном режиме  
NR Коэффициент неидеальности в инверсном режиме  
VAF Напряжение Эрли в нормальном режиме для модели Гуммеля-Пуна В
VAR Напряжение Эрли в инверсном режиме для модели Гуммеля-Пуна В
RC Объемное сопротивление коллектора Ом  
RE Объемное сопротивление эмиттера Ом  
RB Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер Ом  
TF Время переноса заряда через базу в нормальном режиме с  
TR Время переноса заряда через базу в инверсном режиме с  
CJE Емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении пФ  
VJE(PE) Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер В 0,75
MJE(ME) Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода 0,33
CJC Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении Ф  
VJC(PC) Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор В 0,75
MJC(MC) Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода 0,33
CJS(CCS) Емкость коллектор-подложка при нулевом смещении Ф  
VJS(PS) Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка В 0,75
MJS(MS) Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка  
KF Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкерного шума  
AF Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкерного шума от тока через переход  

С полным списком параметров биполярного транзистора, воспринимаемых программой МС, можно ознакомится в [1, 2, 3].





Дата публикования: 2014-12-28; Прочитано: 396 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!



studopedia.org - Студопедия.Орг - 2014-2024 год. Студопедия не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования (0.005 с)...