Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
НЕКРОФИЛИЯ
(Австрия. Уголовный кодекс, § 306, проект § 249) Этот способ полового удовлетворения настолько чудовищен, что в каждом случае невольно возникает мысль о психопатическом состоянии преступника, так что требование, которое выдвигает Машка, — о необходимости у всех подобных преступников производить обследование умственных способностей кажется нам вполне основательным. Во всяком случае, для того, чтобы победить естественное отвращение человека к трупу и даже сделать привлекательным половое общение с трупом, необходимо безусловно болезненное извращение чувственности. К сожалению, в большинстве описанных в литературе случаев не было произведено обследования психического состояния преступника, так что вопрос, может ли некрофилия иметь место у психически здоровых людей, остается открытым. Кто знает те ужасные извращения, которые возможны в половой жизни, тот не решится ответить на этот вопрос категорическим отрицанием. | |
ПОЛОВОЕ ВЛЕЧЕНИЕ К БЛИЗКИМ РОДСТВЕННИКАМ (ИНЦЕСТ) | Половая психопатия Рихард фон Крафт-Эбинг |
(Австрия. Уголовный кодекс, § 132; проект § 189. Германия. Уголовный кодекс, § 174) Охрана нравственной чистоты семейного очага является одним из приобретений культурного развития. Вот почему у нравственно нормального культурного человека всякая мысль о каких-либо сладострастных отношениях к члену его семьи вызывает явное чувство отвращения. Только при неимоверно сильной чувственности и ущербности в морально-правовых представлениях может развиться половое влечение к близким родственникам. В семьях отягощенных иногда имеют место оба эти условия. У мужчин алкоголизм и состояние опьянения, у женщин слабоумие, задерживающее развитие стыдливости, а порою ведущее и к эротизму, — вот те условия, которые благоприятствуют осквернению кровного родства. Внешним способствующим этому условием является недостаточное разделение полов в пролетарских семьях. Выше мы видели, что в качестве безусловно патологического явления половое влечение к близким родственникам встречается при врожденных и приобретенных состояниях умственного недоразвития, а также изредка при эпилепсии1 и у параноиков. Однако во многих случаях, если не в большинстве, не удается доказать патологической основы для этих преступлений, оскверняющих не только кровное родство, но и вообще моральное чувство культурного человека. Впрочем, в некоторых из описанных в литературе случаев удалось к чести человечества доказать наличие психопатологических мотивов. Наблюдение 248. Ц., 51 года, директор института, влюблен в свою дочь со времени ее половой зрелости. Поведение отца глубоко возмущало очень строгую в нравственном отношении девушку; в конце концов ее принуждены были отослать за границу к родственникам. Отец — человек нервный, со странностями, немного алкоголик, по-видимому, не отягощен. Он отрицает свою любовь к дочери, последняя, однако, утверждает, что он держал себя с нею, как возлюбленный. Ц. страшно ревновал ее ко всякому мужчине, который решался приблизиться к ней. Он угрожал наложить на себя руки, если она выйдет замуж, и даже однажды предложил ей умереть вместе с ним. Он постоянно старался остаться наедине с дочерью, задаривал ее подарками, осыпал нежностями. Проявлений гиперсексуальности у Ц. не было. Он слыл нравственным человеком, метрессы не имел. В случае Фельдмана (Marc-Ideler I.S. 18), где отец сделал ряд безнравственных покушений на свою взрослую дочь и в конце концов убил ее, речь шла о слабоумном субъекте, страдавшем к тому же, по-видимому, периодическим помрачением сознания. В другом случае безнравственных сношений между отцом и дочерью (S. 247) последняя, несомненно, страдала слабоумием. Ломброзо (Archivio di psichiatria, VIII. P. 519) сообщает о случае, когда 42-летний крестьянин жил с своими тремя дочерьми — 22, 19 и 11 лет; последнюю он даже заставил сделаться проституткой и посещал ее в доме терпимости. Судебно-медицинское обследование обнаружило отягощение, интеллектуальное и моральное недоразвитие, алкоголизм. Неисследованными в психическом отношении остались следующие случаи: случай Шюрмайера (Deutsche Zeitschrift fur Staatsarzneikunde, XXII. H. 1), когда женщина клала на себя своего сына пяти с половиной лет и совершала с ним безнравственные действия; далее случай Лафарга (Journal medical de Bordeaux, 1874), когда 17-летняя девушка клала на себя своего 13-летнего брата, прикасалась к его половым органам и мастурбировала мальчика. В следующих случаях речь идет о субъектах отягощенных. Легран (Annales medico-psychologiques, 1876, Mai) сообщает об одной 15-летней девушке, которая побуждала своего брата совершать с ней всевозможные половые действия; когда после 2 лет половых сношений с сестрой мальчик умер, она совершила покушение на убийство одного родственника. Сюда же относится случай, когда одна 36-летняя замужняя женщина вывешивалась обнаженной грудью в окошко и, кроме того, жила с своим 18-летним братом. Наконец случай, когда женщина 39 лет была до смерти влюблена в своего сына, жила с ним, забеременела и вызвала выкидыш. Случай, описанный под № 2 в судебно-психиатрических экспертизах Цюрихской психиатрической клиники, изданных Кёлле, касается безнравственных сношений между отцом, страдавшим хроническим алкоголизмом, и слабоумной взрослой дочерью. Туано (указ. соч.) сообщает о 44-летней нимфоманке, которая покушалась на самоубийство вследствие несчастной любви к своему собственному 23-летнему сыну и была доставлена затем в психиатрическую больницу. Она ему положительно не давала покоя, постоянно целовала его, однажды ночью сделала настоящее покушение на изнасилование, так что он должен был прогнать ее; это, однако, не удержало ее от новых покушений. Временами ей удавалось овладевать собой, но затем снова наступали приступы страсти, а с ними и покушения на сына. Когда она убедилась, что не может исправиться, она совершила попытку самоубийства. Еще ужаснее случай, сообщаемый Тардье. Одна хроническая нимфоманка, гомосексуалистка, целыми часами, иногда среди ночи мастурбировала во влагалище и задний проход свою 12-летнюю дочь. При этом она приходила в состояние сильнейшего возбуждения. То, что среди отбросов населения в больших городах встречаются матери, которые ужаснейшими способами «готовят» своих малолетних дочерей к разврату, стало известно благодаря Касперу. Но эти преступные действия относятся уже к другой области. | |
БЕЗНРАВСТВЕННЫЕ ДЕЙСТВИЯ НАД ПИТОМЦАМИ. СОВРАЩЕНИЕ (АВСТРИЯ) | Половая психопатия Рихард фон Крафт-Эбинг |
(Австрия. Уголовный кодекс, § 131, проект § 188. Германия. Уголовный кодекс, § 173) Безнравственные действия над лицами, вверенными чьему-либо воспитанию или надзору и находящимися в большей или меньшей зависимости от совершающего эти действия, очень близки к преступлениям, описанным в предыдущем разделе, хотя они и не оскорбляют настолько нравственное чувство, как эти последние. Преступления этого рода, подведенные законодателем под особую статью, представляют психопатологический интерес только в исключительных случаях. |
ЗМІСТ
Перелік скорочень………………………………………………………... | |
Вступ………………………………………………………………………. | |
1 Пасивні компоненти……………………………………………………. | |
1.1 Резистори…………………………………………………………….. | |
1.2 Конденсатори……………………………………………………....... | |
1.3 Індуктивні компоненти…………………………………………….. | |
1.4 Запитання та завдання для самоконтролю………………………… | |
2 Діоди і діодні схеми…………………………………………………….. | |
2.1 Класифікація і маркування діодів………….………………………. | |
2.2 Параметри і характеристики діодів………………………………... | |
2.3 Напівпровідникові стабілітрони…………………………………… | |
2.4 Варикапи…………………………………………………………… | |
2.5 Випрямляючі діоди…………………………………………………. | |
2.6 Тунельні діоди………………………………………………………. | |
2.7 Високочастотні діоди……………………………………………….. | |
2.8 Обернені діоди………………………………………………………. | |
2.9 Імпульсні діоди……………………………………………………… | |
2.10 Запитання та завдання для самоконтролю……………………….. | |
3 Біполярні та уніполярні транзистори………………………………….. | |
3.1 Структура транзисторів…………………………………...………... | |
3.2 Класифікація біполярних та уніполярних транзисторів………….. | |
3.3 Принцип дії біполярного транзистора…………………………….. | |
3.4 Статичні параметри біполярних транзисторів …………………… | |
3.5 Режими роботи і статичні характеристики біполярних транзисторів……………………………………………………………… | |
3.6 Параметри транзистора як чотириполюсника…………………….. | |
3.7 Частотні властивості біполярного транзистора…………………… | |
3.8 Принципи підсилення в транзисторі при активному режимі роботи…………………………………...………………………………. | |
3.9 Робота транзистора в імпульсному режимі……………………….. | |
3.10 Будова та характеристики уніполярних транзисторів………….. | |
3.11 МДН-транзистори…………………………………...……………. | |
3.12 Параметри уніполярних транзисторів…………………………… | |
3.13 Частотні властивості уніполярних транзисторів………………… | |
3.14 Запитання та завдання для самоконтролю………………………. | |
4 Показники та характеристики аналогових електронних пристроїв…. | |
4.1 Коефіцієнти підсилення……………………………………………. | |
4.2 Амплітудно-частотна характеристика. Коефіцієнти частотних спотворень……………………………………………………………….. | |
4.3 Фазочастотна характеристика……………………………………… | |
4.4 Перехідні характеристики. Спотворення імпульсних сигналів…. | |
4.5 Нелінійні спотворення. Коефіцієнт нелінійних спотворень……. | |
4.6 Амплітудна характеристика. Динамічний діапазон………………. | |
4.7 Коефіцієнт корисної дії. Номінальна вихідна потужність………. | |
4.8 Внутрішні завади аналогових пристроїв………………………….. | |
4.9 Запитання та завдання для самоконтролю………………………… | |
5 Зворотний зв’язок і його вплив на показники та характеристики аналогових пристроїв……………………………………………………. | |
5.1 Основні засоби забезпечення зворотного зв’язку………………… | |
5.2 Вплив зворотних зв’язків на коефіцієнти підсилення струму та напруги……………………………………………………………….. | |
5.3 Вплив зворотних зв’язків на вхідний та вихідний опір…………. | |
5.4 Вплив зворотного зв’язку на інші показники пристрою…………. | |
5.5 Стійкість пристрою зі зворотним зв’язком……………………….. | |
5.6 Запитання та завдання для самоконтролю………………………… | |
6 Забезпечення та стабілізація режиму в каскадах аналогових пристроїв………………………………………………………………….. | |
6.1 Кола живлення каскадів на уніполярних транзисторах………….. | |
6.2 Кола живлення каскадів на біполярних транзисторах…………… | |
6.3 Динамічні характеристики каскадів………………………………. | |
6.4 Запитання та завдання для самоконтролю………………………… | |
7 Каскади попереднього підсилення…………………………………….. | |
7.1 Аналіз властивостей каскаду зі спільним витоком в частотних областях…………………….……………………………………………. | |
7.2 Аналіз резисторного підсилювального каскаду зі спільним емітером у різних частотних областях………………………………… | |
7.3 Перехідні характеристики резисторного підсилювального каскаду……………………………….…………………………………... | |
7.4 Повторювачі напруги……………………………….………………. | |
7.5 Повторювачі струму……………………………….………………... | |
7.6 Каскади з динамічним навантаженням……………………………. | |
7.7 Диференціальні каскади……………………………….…………… | |
7.8 Каскади на складених транзисторах……………………………….. | |
7.9 Запитання та завдання для самоконтролю………………………… | |
8 Корекція частотних та перехідних характеристик…………………… | |
8.1 Необхідність корекції та її принципи……………………………… | |
8.2 Методи визначення параметрів, що забезпечують рівномірність АЧХ та лінійність ФЧХ у найбільшій області частот………………... | |
8.3 Каскади з індуктивною ВЧ корекцією…………………………….. | |
8.4 Каскади з ВЧ корекцією на основі частотно залежного зворотного зв'язку………………………………………………………. | |
8.5 Каскади з НЧ корекцією ……………………………..…………….. | |
8.6 Запитання та завдання для самоконтролю………………………… | |
9 Вибірні каскади……………………………..………………………….. | |
9.1 Класифікація, параметри та характеристики вибірних каскадів… | |
9.2 Резонансні діапазонні каскади з автотрансформаторним, трансформаторним і комбінованим зв’язками………………………... | |
9.3 Смугові каскади……………………………..………………………. | |
9.4 Запитання та завдання для самоконтролю………………………… | |
10 Каскади кінцевого підсилення……………………………..………… | |
10.1 Вимоги до каскадів кінцевого підсилення………………………. | |
10.2 Основні режими роботи підсилювальних каскадів……………... | |
10.3 Однотактні каскади кінцевого підсилення………………………. | |
10.4 Двотактні каскади кінцевого підсилення………………………… | |
10.5 Визначення нелінійних спотворень……………………………… | |
10.6 Вибір транзисторів для каскаду кінцевого підсилення…………. | |
10.7 Кінцеві каскади підсилення потужності, що працюють у режимі з ШІМ…………………………………………………………. | |
10.8 Запитання та завдання для самоконтролю……………………….. | |
11 Операційні підсилювачі……………………………..……………….. | |
11.1 Основні показники операційних підсилювачів та вимоги до них……………………………..…………………………. | |
11.2 Типові структури та каскади операційних підсилювачів……….. | |
11.3 Застосування зворотного зв’язку у операційних підсилювачах для утворення пристроїв аналогової обробки сигналів………………. | |
11.4 АЧХ та ФЧХ операційного підсилювача………………………… | |
11.5 Забезпечення стійкості операційних підсилювачів, що охоплені зворотним зв’язком……………………………..……….. | |
11.6 Запитання та завдання для самоконтролю……………………….. | |
12 Каскади на операційних підсилювачах, що здійснюють операції над сигналом……………………………..……………………………….. | |
12.1 Інвертувальні каскади ……………………………..……………… | |
12.2 Неінвертувальні каскади………………………………………….. | |
12.3 Диференційні каскади ……………………………………………. | |
12.4 Інтегрувальні і диференціювальні каскади………………………. | |
12.5 Логарифмічні та антилогарифмічні каскади……………………. | |
12.6 Аналогові помножувачі та подільники………………………….. | |
12.7 Перетворювачі опору. Конверсія та інверсія імпедансу………... | |
12.8 Розрахунок каскадів на ОП……………………………..………… | |
12.7 Запитання та завдання для самоконтролю……………………….. | |
13 Активні фільтри……………………………..………………………… | |
13.1 Загальні відомості про фільтри…………………………………… | |
13.2 Фільтри Баттерворта і Чебишева…………………………………. | |
13.3 Фільтри Бесселя……………………………………………………. | |
13.4 Порівняння фільтрів різних типів………………………………… | |
13.5 Схеми активних фільтрів на ОП………………………………….. | |
13.6 Проектування фільтрів на джерелах напруги, керованих напругою………………………………………………………………… | |
13.7 Фільтри, що будуються на основі методу змінного стану……… | |
13.8 Схемні рішення фільтрів………………………………………….. | |
13.9 Запитання та завдання для самоконтролю……………………….. | |
Література…………………………………………………………………. | |
Глосарій…………………………………………………………………… |
ПЕРЕЛІК СКОРОЧЕНЬ
АЕ | активний елемент |
АФ | активний фільтр |
АЧХ | амплітудо-частотна характеристика |
БТ | біполярний транзистор |
ВАХ | вольт-амперна характеристика |
ВЗЗ | від’ємний зворотний зв'язок |
ВЧ | високі частоти |
ДНКН | джерела напруги керовані напругою |
ІМС | інтегральна мікросхема |
КК | коливальний контур |
ККД | коефіцієнт корисної дії |
ККП | каскад кінцевого підсилення |
КПП | каскад попереднього підсилення |
МДН | метал-діелектрик-напівпровідник |
МОН | метал-окисл-напівпровідник |
НЧ | низькі частоти |
ОКК | одиночний коливальний контур |
ОП | операційний підсилювач |
ПЕ | підсилювальний елемент |
ПЕФ | п’єзоелектричний фільтр |
ПТ | польовий транзистор |
РП | резонансний підсилювач |
СБ | спільна база |
СЕ | спільний емітер |
СК | спільний колектор |
СП | смуговий підсилювач |
СФ | смуговий фільтр |
СЧ | середні частоти |
ТКЄ | температурний коефіцієнт ємності |
ТКІ | температурний коефіцієнт індуктивності |
ТКН | температурний коефіцієнт напруги |
ТКО | температурний коефіцієнт опору |
ФВЧ | фільтр високих частот |
ФЗС | фільтр зосередженої селекції |
ФНЧ | фільтр низьких частот |
ФСЧ | фільтр середніх частот |
ФЧХ | фазочастотна характеристика |
ШІМ | широтно-імпульсна модуляція |
ВСТУП
Запропонований навчальний посібник відповідає розділам «Аналогова схемотехніка» та «Інтегральна схемотехніка» програми дисципліни «Основи схемотехніки» підготовки бакалаврів за напрямком 6.050903 – телекомунікації. Основу посібника становить теоретичний матеріал лекційних курсів схемотехнічних дисциплін для напрямків радіотехніка та телекомунікації, які читаються авторами протягом останніх 20 років у Вінницькому національному технічному університеті [1-7].
Навчальний посібник складається з 13 розділів, в яких послідовно розглядаються розділи дисципліни «Основи схемотехніки» відповідно до ГСВОУ ОПП 6.050903-2009. Зокрема теоретичний матеріал напрямків частини «Аналогова схемотехніка» (ППП.03.10) відображений у таких розділах посібника: Пасивні компоненти (КЗП.03.13) – розділ 1; Діодні схеми (КЗП.03.14) – розділ 2; Схеми на біполярних транзисторах (КЗП.03.15) – розділи 3, 7, 8, 9 і 10. Теоретичний матеріал напрямків частини «Інтегральна схемотехніка» (ППП.03.13) відображений у таких розділах посібника: Зворотний зв'язок (КСП.04.09) – розділ 5; Режими роботи підсилювачів (КСП.04.09) – розділ 6; Регулювання та живлення ОП (КСП.04.10) – розділ 11; Схеми на ОП (КСП.04.10) – розділи 12 і 13. Для покращення сприйняття матеріалу та систематизації термінології авторами посібника введено розділ 4 «Показники та характеристики аналогових електронних пристроїв».
Розглянуто схемотехніка каскадів підсилення різного призначення (попередні підсилювачі, підсилювачі потужності, підсилювачі постійного струму, вибірні підсилювальні каскади, корекція перехідних і частотних характеристик, спеціалізовані підсилювачі), виконаних на основі біполярних і польових транзисторів та інтегральних операційних підсилювачів. У процесі оволодіння матеріалом посібника студенти повинні засвоїти основні положення теорії та отримати необхідний обсяг практичних навичок розробки та аналізу аналогових електронних пристроїв на дискретних та інтегральних активних приладах.
Навчальний посібник може бути корисним для студентів радіотехнічних і приладобудівних спеціальностей, а також для інженерів і радіоаматорів, які займаються розробкою, експлуатацією та технічним обслуговуванням аналогових електронних пристроїв.
Автори вдячні рецензентам доктору технічних наук, професору
І. П. Лісовому, доктору технічних наук, професору О. Б. Шарпану, доктору технічних наук, професору Ю. К. Філіпському, корисні зауваження яких сприяли поліпшенню змісту книги.
Дата публикования: 2014-11-18; Прочитано: 617 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!