Основные определения в интегральной микросхемотехнике. Интегральные микросхемы, элементы, компоненты. Методы изоляции ИМС. Степень интеграции ИС. Классификация ИС

Интегральная микросхема– ИС, ряд элементов которой выполнены

нераздельно и электрически соединены между собой таким образом, что с точки

зрения технических требований, испытаний, торговли и эксплуатации устройство

рассматривается как одно целое.

Элемент ИС(Элемент) – часть ИС, реализующая функцию какого-либо

простого электрорадиоэлемента(резистора, конденсатора, транзистора, диода),

выполненная нераздельно с кристаллом ИС.

Компонент ИС(Компонент) – отличается от элемента только тем, что до

монтажа эта часть ИС была самостоятельным изделием(диод, транзистор,

резистор, конденсатор).

Cтепень интеграции ИС(Степеньинтеграции) как показатель сложности ИС, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и(или) компонентов:

где К– коэффициент, определяющий степени интеграции, округляемый до ближайшего большего числа; N – число элементов и компонентов.

Имеют место количественные оценки сложности ИС: малая(МИС), средняя

(СИС), большая(БИС), сверхбольшая(СБИС), сверхскоростная(ССИС), которые

зависят от числа элементов и компонентов, технологии изготовления и

функционального назначения.

В зависимости от технологии изготовления ИС могут быть полупроводниковыми, пленочными или гибридными.

Полупроводниковая ИС(ПИС) (Полупроводниковая микросхема) – это ИС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала.

Пленочная ИС(Пленочная микросхема) – это ИС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Различают варианты: толстопленочные ИС, толщина пленок которых свыше1 мкм, и тонкопленочные ИС, толщина пленок которых до1 мкм.

Гибридная ИС(ГИС) (Гибридная микросхема) – это ИС, содержащая, кроме

элементов, компоненты и(или) кристаллы.

В зависимости от функционального назначения ИС бывают: аналоговые и

цифровые.