Дифференциальная оценка основных параметров и характеристик БТ в схеме с общим эмиттером (ОЭ) и ПТ в схеме с общим истоком (ОИ)

На рис. 3.3, а показаны входные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером – зависимость тока базы I _Б от напряжения U _БЭ. Выходные ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером показаны на рис. 3.3, б.

При U _КЭ < U _БЭ (обычно эта ВАХ приводится при U _КЭ = 0) транзистор переходит в режим насыщения, когда в прямом направлении смещены оба перехода. При U _КЭ> U _БЭ коллекторный переход смещен в обратном направлении и напряжение на нем практически не влияет на прямой ток перехода база-эмиттер.

Управляющим током в схеме с общим эмиттером является ток базы.

Ток коллектора через ток базы: где b – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Хар-ка при I _Б = 0 выходит из начала координат и имеет вид обратной ветви ВАХ диода. Этот режим работы транзистора равнозначен его работе с оборванной базой. При этом в транзисторе от коллектора к эмиттеру протекает ток I _КЭ0, называемый сквозным. Этот ток больше, чем I _К0: I _КЭ0 = I _К0 + β I _К0= (β +1) I _К0. Если I _Б > 0, выходные характеристики расположены выше, чем при I _Б = 0, и тем выше, чем больше ток I _Б.