Х- променева літографія

Відоме широке застосування в мікроелектроніці X-променевої (рентгенівської) літографії, яка базується на зміні хімічної активності опроміненого резистора, чутливого до цих променів. Основна відмінність Х - променевої літографії полягає у використанні випромінення з довжиною хвилі ( = 2-50 ), що значно менше в порівнянні з ультрафіолетовими джерелами.

Шаблони для проведення літографії повинні бути тонкими, прозорими для Х - випромінювання, зі стабільними розмірами при зміні температури, дії розтягу і вологи. Для виготовлення шаблонів використовують органічні речовини - поліефір, поліамід, а також неорганічні - окиси алюмінію і кремнію, двоокис кремнію, карбід кремнію, сплави кремнію з металами. Поглиначем, в основному, служить шар золота, товщиною близько 0,5 мкм.

Роздільна здатність Х-променевої літографії визначається якістю резистів, які використовуються. Якправило, вони є плівкамиполімерів, товщиною 0,3-2,0 мкм, які до отримання рисункунаносяться на підкладку з допомогою центрифуги.

ВХ-променевій літографії, як і у фотолітографії, застосовують позитивні і негативні резисти. Позитивні резисти руйнуються під дією Х-променів, а негативні полімеризуються. Х-промені поглинаються цілими молекулами і при цьому проходить вибивання електронів з внутрішніх оболонок атомів резиста. Вивільнені електрони взаємодіють з полімером, сприяючи хімічному руйнуванню чи зшиванню молекул.

Основними вимогами, які висуваються до резистів, є висока чутливість, виділяюча здатність (не менше 0,2-0,3 мкм) і низькамікродефектність, стійкість в процесах хімічного, електрохімічного, плазмохімічного і фізичного травлення, електрохімічного і вакуумного осадження металів, іонної імплантації; достатня адгезія до підкладки, температурна стабільність зображення і однорідність товщини краю проявленого рисунка.