Густина повного струму дрейфу у власному напівпровідникові

, (7.8)

а повна питома провідність s =s_n + s_p.

Питома провідність залежить від концентрації носіїв n, р_i: та їх рухомості m_n, m_p. У напівпровідниках з підвищенням температури внаслідок інтенсивної генерації пар носіїв концентрація рухомих носіїв збільшується значно швидше, ніж зменшується їх рухомість, тому з підвищенням температури провідність зростає, тобто напівпровідники мають від'ємний температурний коефіцієнт електричного опору (ТКО). У металах концентрація електронів провідності не залежить від температури і з її підвищенням провідність зменшується внаслідок зменшення рухомості електронів.

Визначальною ознакою, що дає підстави виділити напівпровідники в особливий клас речовин, є значний вплив температури та концентрації домішок на їх електричну провідність. Так, наприклад, якщо навіть підвищення температури незначне, провідність напівпровідників різко збільшується (на 5... 6 % на 1°С). Провідність металів зменшується мало (на 0,1 % на 1°С).

Провідність напівпровідників дуже залежить від наявності «чужих» атомів, неідеальності кристалічної структури, а також від впливу різних зовнішніх факторів, а саме: температури, електричного поля, випромінювання, магнітного поля, тиску тощо. Ці властивості широко використовують для створення напівпровідникових приладів з різними функціональними можливостями.