Альтернативные виды ОЗУ

Память на приборах с зарядной связью (ППЗС); на пузырьковых магнитных доменах. Ориентированы на принцип последовательного доступа. Имеют невысокое быстродействие, но позволяют создавать память большого объема.

Достоинство ППЗС – сверхмалое потребление энергии. Они очень просты в применении и изготовлении. Но память на ППЗС энергозависима, необходима постоянная регенерация. Но за счет малой величины потребляемой мощности появилась возможность сохранения информации с помощью резервных аккумуляторов мощности, причем на длительное время.

Память на пузырьковых магнитных доменах является энергонезависимой. Размер ячейки памяти намного меньше, чем у динамической и статической, что позволяет изготовлять память большого объема. Но кроме недостатка последовательного доступа, эта память требует большого числа вспомогательных схем.

Стековая память: организация стековой памяти организует безадресное задание операндов. Стек представляет собой группу последовательно пронумерованных регистров или ячеек памяти, снабженных указателем стека, в которую автоматически при записи и считывании устанавливается адрес последней занятой ячейки – вершина стека. При операции занесения в стек слово помещается в следующем по порядку свободную ячейку стека, а при считывании извлекается последнее.

Поступившее в него слово, т.е. реализуется процедура обслуживания типа "последний пришел- первый ушел". Эта процедура при обращении стеку организуется автоматически, т.е. при операции со стеком организуется безадресное задание операндов. Команда не содержит адреса ячейки стека, но содержит адреса ячейки памяти или регистра, откуда слово передается в стек, или куда загружается из стека.

Существует также буферная кэш-память (используется для временного хранения данных и последующей передачи их в ОЗУ или МП, работает на частоте МП). Существует двухуровневая Кэш память. Различные уровни работают с различными частотами (равными 1 и 0,5 частоте МП).