Высоковольтные (многоуровневые) инверторы напряжения

Существуют три технологии построения многоуровневых инверторов напряжения.

При линейном напряжении на нагрузке , должно быть допустимое напряжение на транзисторе 1200 В.

Если , то должно быть допустимое напряжение на транзисторе 12000 В.

Если , то должно быть допустимое напряжение на транзисторе 36000 В.

Сегодня IGBT транзисторы выпускаются с напряжением 3кВ; 4,5кВ; 6кВ.

Путь простого последовательного соединения транзисторов сегодня не применяется (малые фронты).

Придуманы новые технологии построения высоковольтных преобразователей:

· Технология H-мостов;

· Технология CPN (переключаемая средняя точка);

· Технология FCT (с плавающим напряжением на конденсаторе).