![]() |
Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | |
|
Фізичні властивості різних речовин визначаються взаємним розміщенням атомів чи молекул і характером взаємодії між ними. В залежності від зовнішніх умов (температури, тиску і т.д.) речовина може знаходитися в чотирьох фазових станах – твердому, рідкому, газоподібному і електронно–ядерному (плазма). Твердим тілом називають речовину з впорядкованим розміщенням атомів, що відповідає мінімуму вільної енергії твердої фази при заданих температурі і тиску. Згідно сучасних уявлень тверді тіла поділяють на кристалічні, аморфні, склоподібні і органічні речовини.
Під аморфним, склоподібним і органічним тілом розуміють тіла з невпорядкованим розміщенням атомів.
Кристали – тверді тіла, які мають правильне періодичне розміщення складових їх частинок. В структурному відношенні кристал можна розглядати як тіло, що складається з окремих паралелепіпедів повторюваності – елементарних комірок. Елементарна комірка – це той найменший об’єм просторового розміщення атомів кристалу, який повністю передає всі особливості його структури. Тому для вивчення структури кристалу досить знати форму і розміри його елементарної комірки (рис. 1), що характеризується певними параметрами. Параметрами елементарної комірки є: довжини (а,в,с) трьох ребер і три кути () між ними.
Рис. 1
В залежності від співвідношень між величинами ребер a, b, c і величинами кутів та наявністю загальних елементів симетрії просторового впорядкування, розрізняють сім кристалічних систем (сингоній):
1) кубічну – ;
2) гексагональну – ;
3) тетрагональну – ;
4) ромбоедричну – ;
5) ромбічну – ;
6) моноклінну – ;
7) триклинну – .
Елементарні комірки, які мають частинки тільки в вершинах, називають простими чи примітивними. Якщо частинки є не тільки у вершинах елементарної комірки, але і в інших точках, то комірки називаються складними.
Ми обмежимося розглядом простих кристалічних граток, які володіють кубічною симетрією. До них відносяться проста (рис. 2, а), об’ємноцентрована (рис. 2, б) і гранецентрована гратка (рис. 2, в).
а) б) в)
Рис. 2
Спрямуємо координатні вісі вздовж ребер кубічної гратки (рис. 3). Положення будь–якого вузла кристалічної гратки відносно вибраного початку координат задають трьома координатами x, y, z. Ці координати можна визначати таким чином: , де
– параметри гратки;
– цілі числа.
Рис.3
Якщо за одиницю вимірювання довжин вздовж гратки прийняти параметри гратки, то координатами вузла будуть просто числа . Ці цілі числа називаються індексами вузла і записуються так:
.
Для опису напряму в кристалі вибирається пряма, яка проходить через початок координат. Її положення однозначно визначаються індексами першого вузла, через який вона проходить (рис. 3).
Тому індекси вузла є одночасно і індексами напряму, який позначають
. За визначенням індекси напряму є три найменші числа, що характеризують положення найближчого вузла, який лежить (знаходиться) на даному напрямі. На рис. 4 наведені деякі напрями в кристалі кубічної сингонії.
Орієнтацію граней кристала і сімейства паралельних їм атомних площин у вибраній системі координат прийнято задавати за допомогою трьох цілих чисел , які не мають спільного множника. Ці числа називаються індексами Міллера і визначають проекції нормалі до розглядуваної площини на осі координат (якщо ця проекція від’ємна, то над числом проводять риску). Індекси Міллера – це цілі числа, які показують на скільки частин поділені ребра елементарної комірки даною серією атомних площин. Індекси Міллера записують в круглих дужках
.
Рис. 4
На рис. 5 показані кристалографічні площини, що проходять через діагоналі двох протилежних граней кубічної гратки, характеризуються індексами [110], [111] і площина, яка характеризується індексами [110].
Рис. 5
Можна показати, що відстань між двома сусідніми паралельними кристалографічними площинами визначається за формулою:
, (1)
де – параметр кубічної гратки.
Кристалічні структури з міжплощинними відстанями, які спів мірні з довжинами хвиль електронів, є природними просторовими гратками. Згідно гіпотези де Бройля електрони мають хвильові властивості, довжина хвилі яких визначається співвідношенням:
, (2)
де – довжина хвилі;
– стала Планка;
– імпульс частинки.
Електрони, які прискорені різницею потенціалів , мають кінетичну енергію
. (3)
Тоді
, (4)
де – заряд електрона.
Використовуючи (3) знаходимо, що
.
Наведена формула визначає довжину хвилі електрона з масою , який пройшов прискорюючу різницю потенціалів
.
Якщо вимірювати у вольтах, то
можна визначити в ангстремах (Å) за формулою
. (5)
Нехай паралельний потік електронів падає на кристал під кутом до системи атомних площин з міжплощинною відстанню
(рис. 6).
Рис. 6
З рис.6 видно, що дифракційний максимум виникає тоді, коли різниця ходу (АС+ВС) променів 1 і 2, які відбиті від послідовно розташованих атомних площин 3 і 4 даної кристалічної системи дорівнює цілому числу довжин хвиль:
, (6)
де – довжина хвиль електронів;
– кут ковзання пучка електронів;
=1, 2, 3,... – порядок дифракційного максимуму.
Умова (6) визначає закон Вульфа–Брегів для відбивання від відповідних площин.
Експериментально дифракційна картина електронів реєструється на фотопластинці, яка розташована нормально до напрямку О 1 О падаючого потоку (рис. 7).
Рис. 7
Відбитий потік електронів поширюється вздовж напрямку ОР 1 і створює інтерференційний максимум на фотопластинці в точці Р. Дифракційна картина електронів називається електронограмою. Позначивши відстань від досліджуваного зразка до фотопластинки ОО 1= L, відкладемо відрізок О 1 Р 1, що також буде дорівнюватиме L. На електронограмах, зважаючи на малу довжину хвилі електронів, кут також малий (<30). Тому точка
розташована дуже близько до точки Р, а відстань
і
приблизно дорівнюють
. Таким чином, виникає точкова електронограма від монокристалічного зразка. (рис. 8, а).
Рис. 8, а Рис. 8, б
Дифракція на полікристалічних взірцях спостерігається у вигляді колових електронограм (рис. 8, б). Це пояснюється тим, що багато кристаликів різних орієнтацій полікристалічного зразка мають велике число атомних площин, які задовольняють умові Вульфа-Брегів. Дифраговані промені утворюють поверхню конуса. Таку поверхню можна би одержати, якщо б обертати відрізок
навколо
(див. рис.7).
З рис.7 випливає, що
, (6)
де – діаметр кільця на електронограмі;
- відстань від зразка до фотопластинки.
Вважаючи, що кут малий, можна прийняти:
.
Тоді
. (7)
Це і є робоча формула для визначення відстані між двома атомними площинами в досліджуваному кристалі.
Параметр кубічної гратки , відстань
між двома атомними площинами з індексами Міллера (
) згідно формули (1) визначається так:
. (8)
Кожному кільцю електронограми відповідає певна міжплощинна відстань з індексами Міллера
. Оскільки всі кільця (дифракційні максимуми) електронограми одержані від полікристалу з параметром гратки
, для будь–якого набору паралельних атомних площин повинна виконуватися умова
. (9)
Числа і
відповідають номерам довільних кілець електронограми.
Для кубічних граток різних типів знаходження індексів () кілець електронограми проводять з використанням таблиці 1, яка складена на основі теоретичних розрахунків, згідно яких можна передбачити можливі дифракційні максимуми на електронограмі.
Наприклад, обчислені міжплощинні відстані для першого () і другого (
) дифракційних кілець електронограм відповідно дорівнюють
Å і
Å.
У формулу (9) підставляємо значення і
, а також індекси Міллера (
) для першого і другого дифракційних кілець (з таблиці 1).
Таблиця 1
Номер дифракційного макимуму | Тип гратки | |||
Проста
![]() | Об’ємноцентрована
![]() | Гранецентрована
![]() | Тип алмазу
![]() | |
333, 511 | ||||
300, 221 | ||||
411, 330 | ||||
333, 511 |
І. Перевіряємо формулу (9) для простої кубічної гратки:
.
Тобто,
.
Таким чином, досліджувана кубічна кристалічна гратка не є простою.
ІІ. Перевіряємо формулу (9) для об’ємноцентрованої кубічної гратки:
і
,
або
Отже кристалічна гратка не є об’ємноцентрованою.
ІІІ. Перевіряємо формулу (9) для гранецентрованої кубічної гратки:
.
Тобто
.
Отже. рівність (9) виконується і досліджувана гратка є кубічною гранецентрованою.
Дата публикования: 2014-11-04; Прочитано: 552 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!