Тензорезистивные методы и средства преобразования давления

Ранее рассмотренные математические зависимости изменения сопротивления тензорезистивных материалов от механической деформации наиболее полно используется в датчиках для измерения давления, имеющие в своем составе чувствительный элемент в виде металлической и полупроводниковой мембраны, на которой сформированы пленочные или диффузионные тензорезисторы, объединенные в мостовую схему (рис. 5.10 и 5.11).

Рисунок 5. 10 – Расположение тензорезисторов на УЭ

Рисунок 5.11– Мостовые схемы датчиков давлений