Однотактные детекторы

Транзисторный детектор. Детектор (на рис. 8.28, а) по­строен на одном транзисторе, который выполняет функции ключа. При отсутствии опорного сигнала входной сигнал отрицательной полярности открывает переход база — коллектор транзистора. Сиг­нал на выходе отсутствует. Входной сигнал положительной поляр­ности запирает переход коллектор — база. В этом случае опорный сигнал открывает транзистор. Ток входного сигнала проходит через эмиттер-коллекторную цепь. При различных фазовых соотношениях между входным и опорным сигналами амплитуда сигнала на выходе будет меняться. Выходной сигнал меняется и от амплитуды входно­го сигнала. Эти зависимости показаны на рис. 8.28, б, в. Частота сигналов 10 кГц, амплитуда входного сигнала 1 В, опорного — 2 В. Для компенсации постоянного уровня отрицательной полярно­сти предназначен резистор R5.

Рис. 8.28

Рис. 8.29

Конденсаторный детектор. Синхронный детектор (рис. 8.29, а) построен по принципу интегрального накопления заряда на конден­саторе. Во время отрицательной полуволны опорного сигнала тран­зистор VT2 открыт. Входной сигнал заряжает конденсатор С1 через резистор R1. Во время положительного полупериода транзистор VT2 закроется, a VT1 откроется. Накопленный заряд на конденса­торе С2 будет приложен к интегрирующей цепочке R₃C₂. В резуль­тате на выходе будет выделена постоянная составляющая. Зави­симость выходного сигнала от фазового сдвига между входным и опорным сигналами показана на рис. 8.29,6. Если вместо резистора R3 поставить диод VD, то получим однополярную характеристику. Амплитуда входного сигнала 1 В, частота 50 кГц. Амплитуда опор­ного гармонического сигнала 2 В.

Детектор с электронным переключателем. В синхронном детек­торе (рис. 8.30, а) роль управляющего элемента выполняет полевой транзистор. В качестве интегратора применяется ОУ с конденсато­ром в цепи ОС. Когда транзистор открыт, на выходе появляется сигнал, соответствующий среднему значению входного сигнала. Амплитуда этого сигнала регулируется в широких пределах сопро­тивлениями резисторов R1 и R2. Емкость конденсатора также влияет на выходной сигнал. На рис. 8.30, б приведена зависимость коэф­фициента передачи детектора от частотного сдвига между выходным и опорным сигналами.

Рис. 8.30

Рис. 8.31

Детектор на интегральной микросхеме К122УД1. Детектор (рис. 8.31, а) собран на дифференциальном усилителе. Входной сиг­нал подается на базу усилительного транзистора, а опорный — на базу токозадающего транзистора. Выходной сигнал является ре­зультатом взаимодействия двух сигналов. Он зависит от амплитуды входного и опорного сигналов, а также от фазового сдвига между ними.

Эта схема может применяться для детектирования AM и ФМ сигналов. Амплитудно-модулированный сигнал требует стабилиза­ции фазы между сигналами, а ФМ сигнал — стабилизации амплитуд сигналов. Кроме того, детектор может применяться и для детекти­рования ЧМ сигналов. В этом случае необходимо изменить схему, связанную с транзистором VT. Изображенная схема предназначена для выявления амплитудных изменений входного сигнала. Она яв­ляется узкополосной. На рис. 8.31,6 — г проиллюстрированы зависи­мости выходного напряжения детектора от опорного и входного на­пряжений, а точнее, разности фаз между ними.