Каскады предварительного усиления на полевых транзисторах

Принципиальная схема каскада с общим истоком и истоковой стабилизацией р.т.

Нормальный режим работы – переход закрыт.

В данной схеме используется истоковая стабилизация р.т. Эта стабилизация аналогична эмиттерной стабилизации. Фиксируется .

При изменении меняется между З и И, которое противодействует изменению .

Пусть возрос, увеличится => , т.е. в этой схеме по постоянному току действует последовательная ООС по току.

Эквивалентная схема математической модели полевого транзистора в режиме малого сигнала:

, моделируют емкости между З и С; управляемый источник тока моделирует усиленные свойства транзистора. Сопротивление – выходное дифференциальное сопротивление транзистора. В этой схеме исключены омические составляющие входного сопротивления между З и С, З и И.

В справочниках приводятся либо , , либо и

– входная емкость транзистора при КЗ между С и И по переменному току.

– выходная емкость транзистора при КЗ между З и И по переменному току.

В зависимости от режима по постоянному току:

, – эквивалент напряжения Эрли.

Крутизна:

линейно зависит от . Это свойство полевого транзистора позволяет использовать его как умножитель.

Дифференциальное сопротивление между С и И:

Если характеристик нет, то

Составим эквивалентную схему по переменному току

Определим коэффициент передачи в области СЧ.

Эквивалентная схема в области СЧ

Эквивалентная схема в области ВЧ:

Пересчитаем во входную цепь:

Эквивалентная схема каскада в области НЧ:

– выходное сопротивление транзистора

влияет больше всего ( малое)

Коррекция АЧХ

Низкочастотная коррекция

(в области НЧ)

Для упрощения анализа предположим, что постоянная времени в эммитерной цепи во много раз больше чем остальные и влиянием можно пренебречь.

Тогда эквивалентная схема выходной цепи:

С изменением частоты будет меняться в цепи

По такому же закону будет меняться коэффициент усиления.

Высокочастотная эммитерная коррекция.

При эммитерной коррекции назашунтированная часть включается

Эквивалентная схема в области ВЧ

Разделим входную и выходную часть каскада:

Коррекция тем лучше, чем больше глубина ОС.

Индуктивная коллекторная коррекция.

Эквивалентная схема в области ВЧ.

СЧ: сопротивление => влияет на .

(СЧ)

(на резонансной частоте)

– добротность контура зависит от соотношения активной и реактивной составляющей.

Подбором добротности выходного колебания контура и выбором частоты резонанса, величину можно регулировать.

Индуктивная корреляция в микроэлектронном исполнении не используется.