Гетероперехід

Гетероперехід – перехід, утворений у результаті контакту напівпровідників з різною шириною забороненої зони.

Найчастіше гетеропереходи утворюються з напівпровідників з різною шириною забороненої зони.

Діаграма PN переходу, у якому ширина забороненої зони діркового напівпровідника менше ніж в електронного напівпровідника приведена на рисунку 3.1.

Особливістю енергетичної діаграми гетероперехода є розрив енергетичних рівнів у валентній зоні Wв і в зоні провідності Wn.

У зоні провідності величина розриву обумовлена різницею робіт виходу електронів з P і N напівпровідників, а у валентній зоні, крім цього, ще і нерівністю енергій Wв1 і Wв2.

Потенційний бар'єр для електронів і дірок будуть різні, потенційний бар'єр для електронів у зоні провідності менше, ніж для дірок у валентній зоні.

При зсуві переходу в прямому напрямку потенційний бар'єр для електронів зменшується, і електрони з N- напівпровідника будуть інжектуватись в P напівпровідник. Потенційний бар'єр для дірок у P – області також зменшується, але (при правильному виборі величини прямої напруги) усе-таки залишиться досить великим для того, щоб інжекції дірок з області Р – в область N практично не було. Таким чином, може бути досягнута інжекція носіїв струму тільки в одному напрямку.