Автоколебательный мультивибратор. Структура интегрального автоколебательного мультивибратора (рис

Структура интегрального автоколебательного мультивибратора (рис. 227) повторяет схему на дискретных элементах. Конденсаторы С1 и С2 времязадающих цепочек — навесные. Меняя их, можно ре­гулировать длительность выходных импульсов. В ряде случаев эти конденсаторы выполнены внутри микросхем и имеют выводы для подключения параллельно им навесных конденсаторов с целью уве­личения емкости.

Рис.227. Рис.228.

Диоды VD1, VD2 — корректирующие. Благодаря им зарядный ток конденсаторов С1, С2 проходит не через коллекторные резисто­ры RкI, Rк2, а через резисторы R7, R8, чем достигается сокращение длительности переднего фронта импульса

Диоды VD3, VD4 и соответствующие резисто­ры R1, R2 и R4, R5 создают цепь отрицательной обратной связи, которая препятствует насыще­нию транзисторов и тем самым уменьшает время их переключения.

В схеме предусмотрена зашита эмиттерно-базовых переходов транзисторов VT1 и VT2 диода­ми VD5, VD6 и резисторами R3, R6. Элементы R 3, VD5 (R6, VD6) образуют делитель напряжения. При отрицательном перепаде, передающемся с коллектора через конденсатор, диод открыт, большая часть напряжения выделяется на рези­сторе, а незначительная — на прямосмещённом диоде (Uдотк. ≈ -0,7 В). В отсутствие этих элементов отрицательные перепады разрушают эмиттерно-базовый переход транзистора. На рис. 228 приведено изображение специализированной мик­росхемы автоколебательного мультивибратора с навесными времязадающими конденсаторами С1 и С2.

Рис.229.

На рис. 229, а изображена принципиальная схема ждушего мультивибратора на специализированной микросхеме. В отличие от микросхемы, представленной на рис. 228, она не имеет нелинейной отрицательной обратной связи и содержит цепь запуска (VD3, VD4 R 4 С3).

В исходном состоянии транзистор VT2 заперт, т.к. его база через резистор R5 соединена с землей; п-р-п -транзистор VT1 отперт: его база соединена с +Еп через резисторы R9, R3. В этом режиме кон­денсатор С2 заряжен до напряжения, близкого к Еп, а напряжение на конденсаторе С1 значительно меньше: оно равно сумме напряже­ний на отпертых диоде VD1 и транзисторе VT1. Отрицательный запускающий импульс укорачивается дифференцирующей цепью С3- R4, в результате образуются два разнополярных остроконечных импульса, после чего положительный остро­конечный импульс отсекается диодами VD3, VD4, а отрицательный проходит на базу транзистора VT1, начиная запирать его.

Как обычно, в ходе этого процесса отпирается транзистор VT2; при двух отпертых транзисторах возникает лавинообразный процесс, после которого VT1 запирается, a VT2 полностью отпирается.

Через открытый транзистор VT1 конденсатор С2, заряженный впредыдущей стадии, удерживает транзистор VTI запертым. Наряду с этим происходит зарядка конденсатора С1 через резистор R7 и от­крытый транзистор VT2, по окончании которой VT2 остается еще открытым. Выход схемы из этого неустойчивого состояния проис­ходит — в зависимости от соотношения емкостей С1, С2 — за счет разрядки конденсатора С2 (когда отпирается транзистор VT1) или за счет уменьшения тока зарядки конденсатора С1, когда транзистор VT2 переходит в активный режим и положительный перепад напря­жения с его коллектора начинает отпирание транзистора VT1.

На рис. 229, б изображена специализированная микросхема ждущего мультивибратора с навесными конденсаторами С1 и С2.