Электроны и дырки в полупроводниках

В кристалле чистого германия и кремния связь между атомами осуществляется за счет вращения двух электронов, принадлежащих двум рядом расположенным атомам, по од­ной общей орбите. Такая связь называется парноэлектронной, или ковалентной (рис. 10, а). Германии и кремний являются четырехвалентными элементами, их атомы имеют по 4 валентных электрона, и ковалентные связи образуются между четырьмя соседними атомами, как показано на рис. 10, б. На этом рисунке парные ковалентные связи обозначены параллельными линиями, соединяющими два соседних атома, а электроны, образующие эти связи, — черными точками (1) Электроны, связанные ковалентными связями, не участвуют в электропроводности полупроводника. Чтобы появилась электропроводность (т.е. чтобы полупроводник стал способным проводить электрический ток), необходимо разорвать часть ковалентных связей. Освобожденные от ковалентных связей электроны смогут свободно перемещаться по кристаллу полупроводника и участвовать в электропроводности. Такие электроны называют свободными, или электронами проводимости (рис.10, в). Разрушение ковалентных связей происходит при сообщении электронам дополнительной энергии за счет повышения температуры (нагрева) полупроводника, облучения светом и других энергетических воздействий. В результате энергия свободных электронов увеличивается, и их энергетические уровни соответствуют энергетическим уровням зоны проводимости.

Место на внешней орбите атома, где ранее находился электрон (или, иными словами, разорванная ковалентная связь), называется дыркой. На энергетической диаграмме

Рис.10. Плоская модель кристаллической решетки германия и кремния (а, б, в) и их энергетическая диаграмма (г)

дырке соответствует свободный энергетический уровень (2) в валентной зоне, с которого электрон перешел в зону проводимости (рис. 10, г). Атом, лишившийся одного из электронов, обладает положительным зарядом, равным абсолютному значению заряда электрона. Следовательно, образование дырки эквивалентно возникновению положительного заряда р= +q(q ≈ 1,6 *10 ^-19 Кл — заряд электрона).

Образование свободных электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне называют генерацией носителей заряда, или генерацией пар электрон—дырка, поскольку у абсолютно чистых (собственных) полупроводников появление свободного электрона в зоне проводимости обязательно сопровождается появлением дырки в валентной зоне.

Свободный электрон может, теряя часть своей энергии, из зоны проводимости перейти в валентную зону, заполнив собой одну из имеющихся в ней дырок. При этом восстанавливается ковалентная связь. Этот процесс называют рекомбинацией. Таким образом, рекомбинация всегда сопровождается потерей пары электрон—дырка.

Рекомбинация всегда означает переход электрона в состояние с более низкой энергией. Выделяющаяся при этом энергия может излучаться в виде кванта света (фотона) или превращаться в тепловую энергию.

Промежуток времени от момента генерации носителя заряда до его рекомбинации называют временем жизни, а расстояние, пройденное им за время жизни, — диффузионной длиной.

Концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике.

При температурах, превышающих -273,16 °С, в полупроводнике всегда имеются разорванные ковалентные связи, т.е. некоторое количество свободных электронов и равное им число дырок. Число, или концентрация, свободных электронов и дырок зависит от ширины запрещенной зоны ∆ Wn температуры: оно тем больше, чем меньше ∆ W и выше температура. При заданной температуре процесс генерации носителей заряда уравновешивается процессом рекомбинации. Такое состояние полупроводника называют равновесным. Для полупроводника, находящегося в равновесном состоянии, концентрация свободных электронов n,равна концентрации дырок р, (индексы / соответствуют чистому, или собственному, полупроводнику) в валентной зоне, и можно записать

ni pi = ni2 = pi2 = const.