Вольт-амперна характеристика та параметри напівпровідникових діодів

Пряма вітка ВАХ реального діоду також відрізняється від ВАХ ідеального р-n -переходу. Це пояснюється тим, що вираз не враховує впливу об’ємного опору бази r_б діода при великих рівнях інжекції, коли кількість неосновних носіїв заряду стає значно більше основних. Значення r_б залежить від типу діода і може змінюватися від десятих часток до декількох десятків Ом. Якщо врахувати спад напруги в області бази І∙r_б, то одержимо рівняння, яке описує пряму вітку ВАХ реального діода

При І >> І_о, що відповідає великим рівням інжекції, складовою, що включає , можна знехтувати. Тоді пряма вітка ВАХ описується лінійною залежністю U = І ∙ r_б. Ця ділянка ВАХ називається омічною дільницею прямої вітки.

При збільшенні температури пряма вітка характеристики стає більш крутою, тому що зростає І_о і зменшується опір бази. Спад напруги, що відповідає тому же значенню прямого струму, при цьому зменшується, що оцінюється за допомогою температурного коефіцієнта напруги (ТКН)

ТКН показує, на скільки повинна змінитися напруга на діоді при зміні температури на 1°С при певному значенні прямого струму (І = соnst).
ТКН = − 2,2 мВ/ град.

Напівпровідникові діоди мають загальні параметри, які стосовуються для всіх різновидів діодів.

Діоди характеризуються диференціальним (динамічним) і статичним опорами, які визначаються за вольт-амперною характеристикою.

Диференціальний опір у будь-якій точці прямої вітки характеристики

де ∆U, ∆І – кінцеві прирости напруги і струму поблизу робочої точки.

Статичній опір у будь-якій точці прямої вітки характеристики