Вхідні ВАХ. Вхідними характеристиками транзистора зі СБ є залежності струму емітера IЕ від емітерної напруги UЕБ при постійних значеннях колекторної напруги

Вхідними характеристиками транзистора зі СБ є залежності струму емітера I _Е від емітерної напруги U _ЕБ при постійних значеннях колекторної напруги

.

Як відомо, І _Е ≈ І _Е0 ( - 1) (9.6)

Із формули 9.6 виходить, що у разі U _КБ=0 струм І _Е = - І _{Е 0} і при наявності прямої напруги U _ЕБ струм І _Е буде збільшуватися за експоненціальним законом

І _Е ≈ - І _Е0∙ ,

та проходити через емітерний перехід і базу, тому що колекторний перехід закритий (рис 9.7). Така ВАХ є аналогічною ВАХ p-n переходу.

Якщо напруга U _КБ ≠ 0, то ВАХ переміщується ліворуч. Це пояснюється зменшенням товщини бази W завдяки екстракції дірок із емітера через базу в колектор і тому збільшенням градієнта концентрації та струму емітера І _Е. Але вплив напруги U _КБ на струм І _Е є малим і тому вхідні ВАХ, зняті при U _КБ ≠ 0, майже збігаються. Тому в довідниках наводять дві ВАХ – одну при U _КБ = 0, а іншу при U _КБ ≠ 0.

Рис. 9.7. Практичні вхідні ВАХ БТ зі СБ:

При нульових і малих прямих і зворотних напругах U _ЕБ емітерний перехід є закритим, проте буде існувати малий зворотній струм I _ЕБ0.

Температурний дрейф вхідних характеристик значний: з ростом температури при прямих напругах U _ЕБ струм I _Е збільшується і характеристики зміщуються вліво, при зворотних напругах U _ЕБ зворотній струм I _ЕБ0 також збільшується (рис. 9.8.). Тобто температура в схемі зі спільною базою на вхідні ВАХ має суттєвий вплив.

Рис. 9.8. Вплив температури на вхідні ВАХ БТ зі СБ

Вхідні характеристики силіцієвих транзисторів зміщені від початку координат в бік прямих напург на 0,6...0,7В, германієвих – на 0,2...0,4В.

9.2.2. Вольт-амперні характеристики БТ зі СЕ