Впровадження домішки у напівпровідники шляхом термічної дифузії

Для надання окремим, топологічно визначеним ділянкам напівпровідникової пластини відповідних електрофізичних властивостей при виготовленні мікросхем застосовується термодифузія.

Якщо в кремній ввести п`ятивалентний елемент (наприклад- фосфор), то чотири з п`яти електронів вступлять у зв`язок з чотирма електронами сусідніх атомів кремнія і утворять оболонку з 8-и електронів. П’ятий електрон легко відривається від ядра п`ятивалентного елемента і стає вільним. (Атом домішки перетворюється в нерухомий іон із зарядом плюс). Ці вільні електрони додаються до власних вільних електронів. Тому провідність стає електронною. Такі провідники називаються електронними або провідниками n – типу. Домішки, які обумовлюють таку провідність називаються донорними (вони „віддають” електрони в гратку) - див. рис. 1а.

а) іон Вільний б)