Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
Коли транзистор насичений, в ньому є залишкова електрорушійна сила ЕРС. В режимівідсічки транзистор представляє собою генератор струму (рис 2.3).Приблизні значення в режимах відсічки та насичення:
езал=1мВ … 100 мкВ rзал=50 …20 Ом Rзт=5…10 Мом Ізал=1…100 мкА
Рисунок 2.3. Еквівалентна схема транзисторного ключа
Щоб зменшити залишкову ЕРС застосовується включення 2-х транзисторів (рис 2.3):
Дана схема використовує компенсаційне інверсне включення транзисторів для компенсації залишкових ЕРС двох транзисторів і зменшення паразитного проходження струму із кола управління на вихід схеми.
Для кремнієвого транзистора 1КТ011А
езал=20мВ … 50 мкВ
rзал=100 Ом
Rзт=10 МОм
У даної схеми є недолік – необхідно ізолювати джерело управління від загальної схеми, тому застосовують трансформатор або оптронні пари рис 2.5 та рис 2.6.
Набір ключів К249КН1 з оптронною розв’язкою та зустрічним включенням p-n-p транзисторів (рис 2.5) має такі характеристики:
езал=200 мкВ Rвих=200 Ом Івх=20 мА Uвх=3,5 B, напруга ізоляції Uізол=150 B,
час включення tвкл=10 мкс.
Оптронна пара АОТ1011 на базі фототранзисторів (рис 2.6) має напругу ізоляції Uізол=1500 B.
Дата публикования: 2014-11-26; Прочитано: 249 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!