Энергонезависимая память с последовательными интерфейсами

Для микросхем энергонезависимой памяти малого объема, от которых не требу­ется высокой производительности обмена данными, часто применяют последо­вательные интерфейсы. Это позволяет упаковывать микросхемы памяти любо­го объема в корпуса, имеющие минимальное число выводов (рис. 7.23, 7.24, табл. 7.29). С таким интерфейсом выпускаются микросхемы EEPROM, FRAM и флэш-памяти. Микросхемы EEPROM и флэш-памяти выполняют внутренние операции записи автономно; о завершении выполнения операции можно судить

Глава 7. Интерфейсы электронной памяти

по результатам опроса ее состояния. Более сложные микросхемы имеют блочную организацию и средства управления доступом к каждому блоку с помощью про­граммируемых регистров состояния и внешнего вывода управления записью (про­граммированием). Микросхемы FRAM выполняют все операции на скорости ин­терфейса (на то они и RAM). Существуют модификации микросхем, позволяющие блокировать запись данных пользователем в определенную область (или всю мик­росхему, что превращает ее в ROM). Вывод управления защитой у разных типов микросхем функционируеги называется по-разному: WP# — Write Protect, WC — Write Control, PP — Programm Protect. Для выбора микросхемы используются либо входы задания внутреннего адреса А[0:2], либо сигнал выборки CS#, с помо­щью которого контроллер может обратиться к одному из требуемых устройств. Для упрощения внешних схем могут использоваться и несколько сигналов выбор­ки S[0:2], один из которых (51) иногда инвертирован.

Таблица 7.29. Популярные микросхемы памяти с последовательным интерфейсом

Микросхема

Организация Рисунок