Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
BYTE* Управляющий сигнал для выбора режима обращения к микросхемам с 8/16-битной организацией. Они имеют два 8-битных банка, и их ячейки памяти адресуются 16-битными словами. Низкий уровень сигнала BYTE* задает восьмибитный режим обмена по линиям DQ[0:7], при этом линия DQ15/A-1 становится самой младшей линией адреса, переключающей банки, а линии DQ[8:14] переходят в высокоимпедансное состояние
Ах Address — входные линии шины адреса. Линия А9 допускает подачу высокого (12В) напряжения (как и EPROM) для чтения кода производителя (А0=0) и устройства (А0=1), при этом на остальные адресные линии подается логический «О»
RP# Reset/Power Down, раньше обозначался PWD# (PowerDown). Низкий уровень (PWD#) сбрасывает регистр команд и переводит микросхемы в режим «глубокого сна»
(Deep Powerdown) с минимальным (доли микроампера) потреблением питания.
Перевод сигнала в высокий логический уровень «пробуждает» микросхему
(примерно за 0,3-0,8 мкс), после чего она переходит в режим чтения данных.
Подача высокого (12В) напряжения разрешает программирование даже
защищенного Boot-блока
WP# Write Protect — защита записи. При низком уровне WP* модификация Boot-блока или других блоков с установленным битом защиты возможна только при наличии высокого (12В) напряжения на входе RP*. При высоком уровне защита блоков игнорируется
RY/BY# Ready/Busy* — сигнал готовности (высокий уровень) микросхемы к очередной
операции программирования или стирания. Низкий уровень указывает на занятость управляющего автомата (WSM) выполнением операции стирания или программирования. Выход обычно не управляется сигналами ОЕ# и СЕ*. В микросхемах 28F016SA и выше выход имеет тип «открытый коллектор», запираемый по команде, и программируемое назначение
3/5* Сигнал, переключающий режим работы микросхемы в зависимости от питающего напряжения, введен для оптимизации быстродействия или потребления
Интерфейс микросхем флэш-памяти хорошо сочетается со стандартными сигналами, используемыми в микропроцессорных системах. Внутренние циклы стирания, записи и верификации выполняются автономно от шинных циклов внешнего интерфейса, что является существенным преимуществом перед микросхемами EPROM и EEPROM. В режиме чтения они полностью совместимы с EPROM, совпадая с ними и по расположению основных выводов.
Обозначение микросхем идя изделий лидеров в области разработки и производства флэш-памяти — фирм Intel и AMD — несколько отличаются. Остальные производители для своих изделий, по свойствам аналогичных, в основном придерживаются системы обозначений лидеров.
Обозначение микросхем флэш-памяти Intel начинается с признака 28F, за которым следует трехзначный код объема (табл. 7.24), а за ними — два символа технологии и архитектуры:
♦ В5, ВС, ВХ, BR - Boot Block с питанием 5 В;
♦ СЗ — Boot Block с питанием 3 В;
♦ F3 — Boot Block с питанием 3 В, повышенное быстродействие;
♦ J3 и J5 — StrataFlash (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно;
♦ S3 и S5 — Flash File (SA) с питанием 3 и 5 В соответственно.
290________________________________ Глава 7. Интерфейсы электронной памяти
Для флэш-памяти AMD первая часть обозначения определяет тип и характеристики микросхем:
♦ Am29BDS — 1,8 В, считывание одновременно с записью, пакетный режим чтения;
♦ Am29DS — 1,8 В, считывание одновременно с записью;
♦ Am29SL- 1,8 В;
♦ Am29LV-3B;
♦ Am29DL — 3 В, считывание одновременно с записью;
♦ Am29BL — 3 В, пакетный режим чтения;
♦ Am29PL — 3 В, страничный режим чтения;
♦ AmSOLV - 3 В, UltraNAND;
♦ Am29F-5В.
Далее следует трехзначный код объема, за ним символ технологии изготовления (В, С или D), за которым следует символ архитектуры:
♦ Т — boot sector, верхний;,
♦ В — boot sector, нижний;
♦ Н — симметричная, защищен со старшим адресом;
♦ L — симметричная, защищен с младшим адресом;
♦ U (нет символа) — симметричная;
♦ J40 — число 100 %-годных блоков (только для UltraNAND).
Оставшаяся часть определяет параметры питания, быстродействие, тип корпуса, температурный диапазон и некоторые особенности.
Таблица 7.24. Популярные микросхемы флэш-памяти Обозначение Организация1
32Кх8ВЕ | |
64Кх8ВЕ | |
128Кх8ВЕ | |
256 Кх 8 BE | |
128Кх8ВВ | |
256Кх8ВВ | |
512Кх8ВВ, SA | |
1Мх8ВВ, SA | |
2 М х 8 ВВ, SA | |
256Кх8/128Кх16ВВ | |
512Кх8/256Кх16ВВ | |
1024Кх8/512Кх16ВВ | |
2Мх8/1 Mx16SA, ВВ | |
4Mx8/2Mx16SA | |
8Mx8/4Mx16SA |
1 BE — Bulk Erase (стираемые целиком), ВВ — Boot Block (несимметричные блоки), SA — Symmetric Architecture (симметричные блоки). Через косую черту указана организация для микросхем с переключаемой разрядностью данных.
7.3. Энергонезависимая память_________________________________________ 291
Флэш-память с интерфейсом PCMCIA (PC Card) оптимизирована для построения внешней памяти миниатюрных PC. Модуль флэш-памяти в формате PC Card имеет интерфейс дисков IDE (ATA) как на уровне электрических сигналов, так и по системе команд. Кроме собственно микросхем накопителя этот модуль обычно содержит управляющую микросхему программируемой логики. Флэш-память в стандарте PC Card логически является устройством внешней памяти. Ее не следует путать с похожей по виду памятью в формате Credit Card, которая является оперативной и вставляется в специальный (не PCMCIA) слот компьютера. Внешнюю память, в отличие от оперативной, в принципе можно вставлять и вынимать без перезагрузки ОС.
Дата публикования: 2015-07-22; Прочитано: 455 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!