Синхронная память — sdram и DDR sdram

Микросхемы синхронной динамической памяти SDRAM (Synchronous DRAM) представляет собой конвейеризированные устройства. По составу сигналов интер­фейс SDRAM близок к обычной динамической памяти: кроме входов синхрони­зации здесь есть мультиплексированная шина адреса, линии RAS#, CAS#, WE# (разрешение записи) и CS# (выбор микросхемы) и линии данных (табл. 7.3). Все сигналы стробируются по положительному перепаду синхроимпульсов, ком­бинация управляющих сигналов в каждом такте кодирует определенную коман­ду. С помощью этих команд организуется та же последовательность внутренних сигналов RAS и CAS, которая рассматривалась и для памяти FPM.

7.1. Динамическая память

Таблица 7.3. Назначение сигналов в микросхемах SDRAM

Сигнал

CLK СКЕ

CS#

RAS#, CAS#, WE#

BSD, BS1 или BAD, BA1

А[0:12]

DQx DQM

V_ss,V_OD VSSQ_I V_DDQ

I/O

I/O