Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
- провести дослідження каскаду підсилювача проміжної частоти з двоконтурним смуговим фільтром при різних величинах зв’язку між контурами і порівняти його з одноконтурним підсилювачем.
3.2. Теоретичні відомості
Еквівалентна схема підсилювача з одиночним контуром приведена на рисунку 2.1. В ній транзистор замінений еквівалентним генератором струму SкUвх (Sк – модуль крутизни характеристики колекторного струму на робочій частоті); Rвих і Свих – вихідні параметри транзистора Т1 на рабочій частоті; Rвх.н і Свх.н – еквівалентні вхідні параметри наступного каскаду; Lк,Cк і R0е – власні параметри контуру на резонансній частоті; m1 і m2 – коефіцієнт включення транзисторів в коливальний контур; Rш – опір, шунтуючий контур з метою збільшення його еквівалентного затухання і розширення полоси пропускання при незмінних величинах m1 і m2 і визначених частотних спотворень в полосі пропускання .
Модуль коефіцієнта підсилення на будь-якій частоті, порівняно близькій до резонансної, визначається виразом:
, (37)
де , – відносна розстройка контура.
На резонансній частоті коефіцієнт підсилення каскаду становитиме:
, (38)
де , – еквівалентне затухання контуру;
; (39)
, – характеристичний опір контуру;
, – еквівалентна провідність:
, (40)
Звідки:
. (41)
Також для одиночного контуру справедлива формула:
. (42)
Модуль відносного коефіцієнту підсилення каскаду рівний:
. (43)
Отже, M визначає лише та відповідною розстройкою
Вибірковість визначається відношенням резонансного коефіцієнта підсилення до підсилення на частоті завади :
. (44)
При розстройці рівній половині полоси пропускання отримаємо вираз для коефіцієнта частотних спотворень на краях полоси пропускання , тобто нерівномірність підсилення в межах заданої полоси:
. (45)
Для величин , що відповідає розстройці по сусідньому каналу , отримаємо вираз каскаду по сусідньому каналу:
= , (46)
Якщо необхідно розширити полосу пропускання каскаду при заданій величині , не змінюючи значень і , паралельно контуру вмикають шунтуючий опір . При цьому еквівалентне затухання контуру буде становити:
, (47)
де , – власне затухання контуру;
і , – внесені в контур затухання зі сторони виходу транзистора Т1 та наступного каскаду:
; ; (48)
, – затухання, внесене шунтом і визначене як:
. (49)
Рис. 3.1. Еквівалентна схема каскаду з двоконтурним смуговим фільтром
Еквівалента схема каскаду с двоконтурним смуговим фільтром представлена на рисунку 3.1., де:
;
. (50)
Якщо , , , то і , а отже:
.
Так як, зазвичай, вихідний опір транзистора в схемі с СЕ значно перевищує його вхідний опір, то коефіцієнти ввімкнення транзисторів Т1 і Т2 (наступного каскаду) повинні бути різними для виконання умови рівності параметрів контурів. Як наслідок, завжди .
Модуль коефіцієнта передачі смугового фільтра на будь-якій частоті визначається виразом:
, (51)
де , – коефіцієнт зв’язку між контурами, рівний:
. (52)
Коефіцієнт передачі фільтра на резонансній частоті(при y = 0) рівний:
. (53)
Як видно із (51), величина зв’язку між контурами впливає на характер змін при зміні частоти сигналу, по відношенню до резонансної частоти контурів фільтру .
Залежно від величини зв’язку між контурами смугового фільтру частотна характеристика підсилювача має різну форму (рисунок 3.2.).
Рис. 3.2. Частотні характеристики підсилювача для різних β
При однакових параметрах контурів для параметра (критичний зв’язок) частотна характеристика являється одногорбою. При , що відповідає сильному зв’язку частотна характеристика має вид двогорбої кривої. При (слабкий зв’язок) частотна характеристика також одногорба.
Розглянемо випадок критичного зв’язку, що широко застосовується. Враховуючи, що при становить , і підставивши в формулу (53) ці вирази, отримаємо формулу резонансного коефіцієнта передачі фільтра:
. (54)
Виходячи з цього, резонансний коефіцієнт підсилення каскаду, визначається виразом:
, (55)
і буде рівний:
. (56)
Підставивши в (51), отримаємо вираз для відносного коефіцієнта передачі фільтра, який визначає форму частотної характеристики:
. (58)
Після перетворень отримаємо:
. (59)
Звідси вибірковість фільтра:
. (60)
При підстановці в формулу (60) (полоса пропускання фільтра) отримуємо:
. (61)
Звідси полоса пропускання каскаду (при ) дорівнює:
. (62)
Як видно із (62), полоса пропускання каскаду зі смуговим фільтром при однакових затуханнях контурів та і критичному зв’язку є в разів більшою, ніж з одиночним контуром. При підстановці в формулу (60) , де – розстройка по сусідньому каналу, отримаємо формулу вибірковості каскаду по сусідньому каналу.
Розглянемо випадок . Підставивши в (53) , отримаємо:
. (63)
Зі збільшенням при незмінній величині збільшується відстань між горбами характеристики, глибше робиться її провал, розширяється полоса пропускання (дивись рисунок 3.2.).
Найбільш можлива вибірковість при заданих частотних спотвореннях в полосі пропускання має місце при оптимальній формі характеристики, при якій величина , де – коефіцієнт передачі на краю полоси.
Тому:
. (64)
Тут відношення коефіцієнтів передачі до визначає частотні спотворення в полосі пропускання . Із (64) отримаємо:
. (65)
Полоса пропускання фільтра при незмінній величині при цьому росте, як видно з (66):
. (66)
Щоб зберегти незмінною задану полосу , необхідно зменшити , тобто збільшити еквівалентну добротність контуру :
. (67)
Отже, застосування зв’язаних в якості колекторних навантажень транзисторів в каскадах смугового підсилювача проміжної частоти, дозволяє використовуючи контури з більшою добротністю при заданій полосі пропускання і частотних спотворень, отримувати більшу вибірковість, ніж при одинарному коливальному контурі (рисунок 3.3.).
Резонансний коефіцієнт підсилення каскаду при визначається формулою:
. (68)
Вибірковість каскаду рівна:
, (69)
де .
Рис. 3.3. Частотні характеристики одноконтурного та двоконтурного підсилювачів
Дата публикования: 2015-04-06; Прочитано: 434 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!