Составные транзисторы

Интегральные транзисторы характеризуются рядом важнейших параметров: коэффициент усиления b, полоса пропускания или частота среза w_a(w_b), предельная частота усиления w_T, пробивное напряжениеU_проб. Желание улучшить один или больше из этих параметров обуславливает использование составных транзисторных структур.

Схема Дарлингтона. Наиболее часто применяемый прием увеличени я коэффициента усиления по току. Быстродействие хуже из-за диффузионной емкости Т2, лучше вариант с резистором: I_R < I_Б2, U_R < U_БЭ2 на токах утечки. R = n*100 Ом в мощных транзисторах, R = n*1000 Ом в малосигнальных схемах. Ток в резисторе должен быть меньше, чем ток в базе.

Б К

= Þ b_S = b₁×b₂ U_БЭS = 2U_БЭ, U_КЭ » U_БЭ

R Э g_БЭ = I/(2j_T)

= b_S = b_Nnpn, U_проб как в p-n-р ИБТ.

Схема Шиклаи (Sziklai), p-n-p.

= b_S=b_pb_n частотные характеристики хуже,

по типу pnp- ИБТ.

Cхема Шиклаи n-p-n (комплементарный транзистор)

К b_S = b_n×b_р, U_БЭ = U_БЭ, U_КЭ = U_БЭн

=

ЛЕКЦИЯ 6