 |
Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | |
Завдання 1. Розрахувати значення «поперечних» енергій електрона в квантовій потенціальній ямі, що утворена в зоні провідності (валентній зоні) вузькозонного
|
|
Розрахувати значення «поперечних» енергій електрона в квантовій потенціальній ямі, що утворена в зоні провідності (валентній зоні) вузькозонного напівпровідника, що оточений масивним широкозонним напівпровідником. Знайти діапазон ширин ями (в моношарах), за яких у ній буде існувати не більше, ніж один енергетичний рівень. Товщина вузькозонного напівпровідника дорівнює десятьом періодам решітки. Якщо виявилося, що у ямі знаходиться менше двох рівнів, розширити її в 1.5 рази.
Знайти частоту квантів, які можуть випромінюватися при переході електрона (дірки), якщо на другому енергетичному рівні створити інверсію заселеності. Вважати, що випромінювальні переходи можуть відбуватися лише на перший енергетичний рівень. До якого діапазону частот належать випромінювані кванти світла? Що можна зробити, щоб створити на цій матеріальній основі випромінювач у видимому діапазоні?
Таблиця 1. Параметри напівпровідникових гетероструктур
| Y | Сполуки | Розрив зони провідності, еВ | Розрив валентної зони, еВ | Ефективна маса електрона в ЗП | Ефективна маса дірки в ВЗ |
| InN/AlN | 2.7 | 1.8 | 0.11 m 0/0.85 m 0 | 1.63 m 0/0.53 m 0 | |
| GaN/AlN | 2.1 | 0.7 | 0.13 m 0/0.85 m 0 | 1.4 m 0/0.53 m 0 | |
| AlAs/GaAs | 0.77 | 0.43 | 0.71 m 0/0.85 m 0 | 0.76 m 0/0.53 m 0 | |
| Al0.33Ga0.67As/GaAs | 0.25 | 0.15 | 0.09 m 0/0.85 m 0 | 0.6 m 0/0.53 m 0 | |
| Al0.66Ga0.34As/GaAs | 0.51 | 0.3 | 0.94 m 0/0.85 m 0 | 0.64 m 0/0.53 m 0 | |
| AlSb/GaSb | 0.487 | 0.4 | 0.12 m 0/0.042 m 0 | 0.98 m 0/0.4 m 0 | |
| InP/Ga0.47In0.53As | 0.2 | 0.4 | 0.077 m 0/0.043 m 0 | 0.64 m 0/0.5 m 0 | |
| Si0.7Ge0.3/Si | 0.056 | 0.22 | 0.55 m 0/1.06 m 0 | 0.34 m 0/0.81 m 0 | |
| InN/GaN | 0.45 | 1.05 | 0.11 m 0/0.13 m 0 | 1.63 m 0/1.4 m 0 | |
| 0п | GaAs/GaN | - | 1.84 | 0.85 m 0/0.13 m 0 | 0.53 m 0/1.4 m 0 |
| 0н | SiC/AlN | - | 2.5 | 0.72 m 0/0.85 m 0 | 0.6 m 0/0.53 m 0 |
Таблиця 2. Сталі решітки деяких напівпровідників
Дата публикования: 2015-02-18; Прочитано: 195 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!
