Аддитивный процесс

Эти методы предполагают использование нефольгированных диэлектрических оснований, на которые тем или другим способом, избирательно (там, где нужно) наносят токопроводящий рисунок. Разновидности метода определяются способами металлизации и избирательное™ металлизации.

Токопроводящие элементы рисунка можно создать:

химическим восстановлением металлов на катализированных участках диэлектрического основания (толстослойная химическая металлизация -- ТХМ);

переносом рисунка, предварительно сформированного на металлическом листе, на диэлектрическую подложку (метод переноса);

нанесением токопроводящих красок или паст или другим способом печати;

восстановительным вжиганием металлических паст в поверхность термостойкого диэлектрического основания из керамики и ей подобных материалов;

вакуумным или ионно-плазменным напылением;

выштамповыванием проводников. Избирательность осаждения металла можно обеспечить:

фотолитографией (через фотошаблон) фоторезиста, закрывающего в нужных местах участки поверхности основания, неподлежащие металлизации (для метола толстослойной химической металлизации - ТХМ);

избирательным фотоочувствлением (через фотошаблон или сканирующим лучом) катализатора, предварительно нанесенного на всю поверхность основания (для фотоаддитивного метода ТХМ);

трафаретной печатью (для паст и красок);

масочные защиты (для вакуумной и ионо-плазменной металлизации).

Дли изготовления ПП с шириной проводников и зазоров 50-100 мкм ГОСТ предусматривает аддитивный метод. Рассмотрим ПАФОС-поцесс. Это полностью аддитивный электрохимический метод, по которому проводники и изоляция между ними формируется голографическим осаждением проводников и формированием изоляции только в необходимых местах прессованием. Метод принципиально отличается от субтрактивных тем, что проводники наносятся, а не вытравливаются.

Проводящий рисунок формируется последовательным наращиванием слоев. После происходит получение на временных носителях медной шины толщиной 2-20 мкм.

получение рисунка СПФ. Далее выполняется гальваническое осаждение тонкого слоя Ni (2-3 мкм) и меди (30-50 мкм) по рисунку, освобожденному по рельефу СПФ. В защитном рельефе СПФ на верхнюю поверхность сформированных проводников наносятся адгезионные слои, СПФ удаляется и проводящий рисунок впрессовывают в диэлектрик. Прессованный слой вместе с