Исследование ключевых свойств транзисторов

Цель работы: изучение системы параметров модели генератора импульсного напряжения (Pulse Source); исследование влияния параметров моделей транзисторов на характеристики ключевой схемы; освоение режима моделирования во временной области.

Задание: провести моделирование во временной области ключевых схем на основе биполярного и (или) МОП транзисторов.

Указания: с импульсными свойствами биполярных и МОП транзисторов можно ознакомиться в монографиях [4,§8.2-§8.3] и [4,§8.7; 5,§8.4.1] соответственно. Схемы ключей для моделирования во временной области показаны на рис.9 и рис.10.

Рис.9. Схема для моделирования ключа на основе биполярного транзистора

Рис.10. Схема для моделирования ключа на основе МОП транзистора