 |
Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | |
МОП транзисторы
|
|
Имена МОП транзисторов в библиотеке компонентов – NMOS и PMOS. Путь к биполярным транзисторам: Component→Analog Primitives→Active Devices.
| ← n-МОП транзистор (NMOS, транзистор с каналом n-типа) |
| ← p-МОП транзистор (PMOS, транзистор с каналом p-типа) |
МОП транзисторы имеют основные атрибуты: PART <имя> и MODEL <список параметров модели>. Определение атрибута MODEL возможно несколькими способами. Если компонент будет использоваться в нескольких схемах, то его целесообразно ввести в библиотеку моделей компонентов. В этом случае в поле атрибута MODEL вводится лишь имя МОП транзистора из библиотеки моделей, например, MODEL=USER. При этом имя МОП транзистора можно выбрать из уже имеющихся имен источников в библиотеке щелчком мыши. Список имен, имеющихся в библиотеке, высвечивается в правом поле окна атрибутов. Если же необходимо внести в библиотеку моделей новый МОП транзистор с новыми параметрами, то поступают аналогично случаю биполярных транзисторов. Кроме описанных способов пользователь может осуществить ввод параметров в поле атрибута MODEL в виде текста. Ввод параметров или выбор модели МОП транзистора осуществляется также как и для ранее перечисленных компонентов. Обозначения наиболее важных параметров МОП транзистора следующие:
| Обозначение | Параметр | Размерность | Значение по умолчанию |
| LEVEL | Уровень модели (1,2,3) | − | 1 |
| L | Длина канала | м | DEFL |
| W | Ширина канала | м | DEFW |
| VTO | Пороговое напряжение при нулевом смещении подложки | В | |
| KP | Параметр удельной крутизны | А/В | 2*10−5 |
| GAMMA | Коэффициент влияния потенциала подложки на пороговое напряжение | В1/2 | вычисляется |
| PHI | Поверхностный потенциал сильной инверсии | В | 0,6 |
| LAMBDA | Параметр модуляции длины канала (не используется при LEVEL=3) | 1/В | |
| RD | Объемное сопротивление стока | Ом | |
| RS | Объемное сопротивление истока | Ом | |
| RG | Объемное сопротивление затвора | Ом | |
| RB | Объемное сопротивление подложки | Ом | |
| IS | Ток насыщения переходов сток-подложка и исток-подложка | А/м2 | 10−14 |
| CGSO | Удельная емкость перекрытия затвор-исток на длину канала за счет боковой диффузии | Ф/м | |
| CGDO | Удельная емкость перекрытия затвор-сток на длину канала за счет боковой диффузии | Ф/м | |
| CGBO | Удельная емкость перекрытия затвор-подложка за счет выхода затвора за пределы канала | Ф/м | |
| TT | Время переноса заряда через переход | с | |
| NSUB | Уровень легирования подложки | 1/см3 | нет |
| TOX | Толщина оксида | м | вычисляется |
| DELTA | Коэффициент влияния ширины канала на пороговое напряжение (не используется при LEVEL=1) | − | |
| KF | Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкерного шума | − | |
| AF | Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкерного шума от тока через переход | − |
С полным списком параметров МОП транзистора, воспринимаемых программой МС, можно ознакомится в [1, 2, 3].
Дата публикования: 2014-12-28; Прочитано: 425 | Нарушение авторского права страницы