В транзисторах з індукованим каналом з самого початку канал провідності не створюється, а створюються лише омічні контакти до витокової і стокової областей.
Приклад додавання потенціалу до затвору приводить до накопичення основних носіїв заряду в приповерхневій області напівпровідника під діелектриком, а відповідно до індукування (наведення) каналу провідності між витоком і стоком.
Відповідно такий транзистор може працювати тільки в режимі збагачення каналу провідності основними носіями. На стокових (вхідних) характеристиках це відображається зростанням струму у вихідному колі.
Стокозатворні характеристики розміщуються в І квадранті і напруга відсічки Uзв.відс.>0.
Такий транзистор називається нормально закритим.
У транзистор з вбудованим каналом канал провідності створюється технологічно, тому він може працювати як у режимі збагачення, так і в режимі збіднення.
Вихідні та перехідні характеристики мають наступний вигляд:
Транзистори з ізольованим затвором характеризуються значно більшим опором, який може досягати 1010 – 1012 Ом.
| Транзистор з керуючим переходом
|
| Транзистор з ізольованим затвором, індукованим каналом
|
| Транзистор з вбудованим каналом
|
Розрізняють три схеми ввімкнення польових транзисторів в електричне коло, як чотириполюсника.
Схема із загальним затвором відповідає схемі із загальною базою.
Схема із загальним витоком аналогічна схемі із загальним емітером.
Схема із загальним стоком (витоковий повторювач) є аналогічною до схеми із загальним колектором.
Для опису польових транзисторів в схемах використовують їх еквівалентні схеми.
Польові транзистори теоретично повинні були б володіти вищими граничними частотами, оскільки в них відсутні процеси інжекції та екстракції носіїв заряду, що мають місце в базі біполярних транзисторів, а струм каналу провідності зумовлений тільки одним типом носіїв. Однак на практиці цього не спостерігається, оскільки значний вплив мають паразитні ємності між затвором та стоковим і витоковим електродами і каналом провідності. Тому реально граничні частоти досягають десятків МГц, тоді як в біполярних структурах десятки ГГц.
На практиці вдалося реалізувати польові транзистори підвищеної потужності. Реалізовуються транзистори потужністю до 100 Вт.
