Глава 4. Техника самопрограммирования флэш-памяти MSP430

FCTL3 = ОхОА5ОО; /* Lock = 0 */

FCTL1 = 0х0А54 0; /* WRT = 1 */

*Data_ptr=word; /* программирование слова

/* во Flash память */

FCTL1 = 0х0А500; /* WRT = 0 */

FCTL3 = ОхОА51О; /* Lock = 1 */

/* Flash_clr */

/* Стирание 1 сегмента Flash памяти */

/

void Flash_clr(int *Data_ptr)

{

FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */ FCTL1 = 0x0A502; /* ERASE = 1 */ *Data_ptr=0; /* стирание сегмента Flash

/* памяти */

FCTL1 = 0x0A500; /* ERASE = 0 */ FCTL3 = 0x0A510; /* Lock = 1 */

Приложение С: файл flash_var.s43

***************************************************

File: flash_var.s43 30. мая 200С

определение двух однобайтных переменных, имеющих специфические адреса во Flash памяти, которые могут быть доступны в С как стандартные внешние символьные переменные (см. файл "flashd.h"):

extern unsigned char SegA last; /* абсолютный адрес OlOFFh */

extern unsigned char SegB_last; /* абсолютный адрес 0107Fh */

Автор: Anton Muehlhofer, компания Texas Instruments

Incorporated

***************************************************

extern unsigned char SegA last; /* абсолютный адрес OlOFFh */