Полупроводниковые тензорезисторы

Их чувствительный элемент изготовлен из монокристалла кремния (полоски толщиной 0,1-2мм; шириной 0,15-0,5мм,), Коэф. тензочувствительности К таких тензорезисторов - может достигать 90 - 200. Это делает их подходящими для измерения микро деформаций и для производства высокочувствительных датчиков. Возможна их работа без дополнительного усилителя. Однако эти тензорезисторы в значительной степени подвержены влиянию температуры, а также не обладают достаточной линейностью. Соответственно, область их применения ограничена.

Полупроводниковые тензорезисторымогут быть изготовлены непосредственно вырезанием из полупроводникового материала. Однако возможны и другие пути. Можно выращивать монокристаллы путём конденсации паров. Тензорезисторы образуются за счёт локальной диффузии примесей в подложку. При этом тип электрической проводимости тензорезистивных плёнок должен быть противоположен типу электрической проводимости подложки. Обычно маской является оксидная плёнка, в которой методом фотолитографии вытравливаются окна соответствующих размеров. Температура и длительность процесса диффузии определяют толщину и сопротивление получаемых тензорезисторов.

Преимущества:

· большое удельное сопротивление (10кОм)

· Коэф. тензочувствительности К=90 - 200

Недостатки:

· Высокий ТКС

· Нелинейность характеристик