К дефектам кругового цилиндра

Чувствительность ВТП к дефектам контролируемых изделий зависит от многих факторов, а именно параметров дефекта, значения обобщенного параметра, формы ОК, параметров преобразователя, тока возбуждения преобразователя, расположения объекта относительно ВТП. На рисунке ** представлена диаграмма зависимости приращения относительного комплексного напряжения проходного ВТП от глубины дефекта и обобщенного параметра контроля . Рядом представлены зависимости приращения модуля относительного напряжения проходного преобразователя от глубины поверхностных дефектов в круговом цилиндре и от обобщенного параметра контроля .

Верхняя диаграмма получена с помощью сеточной модели, проверена на физических моделях и справедлива для немагнитного бесконечно длинного цилиндра при коэффициенте заполнения η=1. Из этой, а также приведенной рядом с ней диаграммы следует, что приращение модуля относительного напряжения проходимого ВТП максимально при изменении обобщенного параметра от 4 до 20. При этом изменяется не более, чем на 20%. При изменении от 1 до 200 изменяется менее чем в 3 раза. Это позволяет обнаруживать поверхностные дефекты в цилиндрических изделиях при значительных изменениях диаметра и удельной электрической проводимости σ, используя одну и ту же рабочую частоту.

Уменьшение чувствительности к узким поверхностным, дефектам в области малых значений объясняется малым значением плотности вихревых токов в контролируемом изделии. При плотность вихревых токов также стремится к 0 и дефект не может быть обнаружен. При вихревые тока плотно прилегают к поверхности дефекта с обеих его сторон (см. рис.) и их магнитные потоки взаимно компенсируются.

Рис. Обтекание вихревыми токами дефекта

Однако если дефект имеет большое раскрытие, то полной компенсации магнитных потоков в зоне дефекта не происходит, и такие дефекты выявляются.

Влияние глубины залегания дефекта под поверхностью объекта показано на рисунке ***. Из рисунка следует, что при изменении относительной глубины залегания дефекта

от 0 до 0,1 аргумент изменяется приблизительно на 90˚.

Рис. Годографы приращения относительного комплексного напряжения в зависимости от относительной глубины залегания узкого подповерхностного дефекта

Это необходимо учитывать при реализации амплитудно-фазового способа выделения информации при контроле.

Представленные на рисунке *** зависимости показывают, что при увеличении относительной глубины залегания дефекта d_* от 1 до 0,1 уменьшается больше, чем в 2 раза при =5 и =15 и в 7 раз при =150. Из этого следует, что для обнаружения подповерхностных дефектов необходимо выбирать режим контроля, соответствующий минимальным параметрам обобщенного параметра £ 5.