Главная Случайная страница Контакты | Мы поможем в написании вашей работы! | ||
|
1. Прищепа М.М. Мікроелектроніка. Ч.1. Елементи мікроелектроніки / М.М.Прищепа, В.П.Погребняк. - Київ: Вища школа, 2004. - 432 с.
2. Ігумнов Д.В.Основи мікроелектроніки / Д.В. Ігумнов, Г.В. Корольов, І.С. Громов.– Київ: Вища школа, 2004. – 252 с.
3. Ефимов И.Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность / И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. - М.: Высшая школа, 1986. -464 с.
4. Однодворець Л.В. Основи мікроелектроніки. – Суми: Вид-во СумДУ, 2005. – 112 с.
Заняття 3. Фізичні процеси в p-n -переході
Методичні вказівки. При розв’язуванні задач використовуються такі співвідношення:
1) висота потенціального бар’єра визначається за умов, що p-n- перехід виникає в тому місці пластини, де концентрація акцепторної домішки дорівнюватиме концентрації донорної домішки:
де k – стала Больцмана; Т – температура; q – заряд електрона; і - концентрації акцепторної і донорної домішок відповідно;
2) товщину області просторового заряду можна визначити за формулою
де - діелектрична проникність середовища (у даному випадку повітря =1); - універсальна діелектрична стала ( =8,85.10-12 Ф/м.);
3) максимальна напруженість електричного поля фіксується на «металургійній» межі переходу (при х =0) і може бути розрахована за формулою:
де kT – градієнт концентрації;
4) питома ємність за умов рівноваги і зовнішнього зміщення ;
5) концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду можна визначити за формулами
де - напруга прямого зміщення;
6) концентрації неосновних носіїв заряду в кожній із областей за умов рівноваги та визначаються за законом діючих мас на межі «металургійного» переходу ;
7) для розрахунку повного струму скористаємося формулою
де Wn і Wp - товщина областей у напрямі проходження електронів та дірок відповідно; Ln і Lp - дифузійна довжина електронів в області p -типу та дірок в області n -типу відповідно; UT – значення напруги при конкретній температурі; Dn і Dp - коефіцієнти дифузії електронів і домішок відповідно;
8) зворотний струм насичення діода розраховується за формулою
9) вольт-амперна характеристика ідеального діода описується за формулою ;
10) величина струму насичення може бути розрахована за діодною або дифузійною теоріями ;
11) ширина області просторового заряду визначається за формулою .
Дата публикования: 2015-09-18; Прочитано: 322 | Нарушение авторского права страницы | Мы поможем в написании вашей работы!