Радиоэлектронное поражение

Радиоэлектронное поражение воздействует на радиоэлектронную аппаратуру путем облучения их специальными, мощными излучениями (импульсами) и приводит к повреждению, разрушению и необратимому изменению характеристик электронных, полупроводниковых, ферритовых, оптических, акустических и других элементов этих систем.

Суть радиоэлектронного поражения элементов радиоэлектронной аппаратуры заключается в лавинно-тепловом пробое диодов, транзисторов, интегральных микросхем и элементов этих радиоэлектроники.

Радиоэлектронное поражение эффективнее других средств поражения (огневого, ядерного) по следующим параметрам:

· Отсутствие необходимости точных сведений о местонахождении систем и элементов связи;

· Возможность выведения из строя средств радиоэлектроники, не излучающих в пространство и находящихся в выключенном состоянии;

· Эффективное воздействие на РЭС, обладающих высокой помехозащищенностью;

· Отсутствие (низкий уровень) разрушающих воздействий на окружающую среду и человека;

· Сложность и трудоемкость поиска неисправностей в пораженном оборудовании;

· Независимость от погоды и времени суток;

· Большая дальность воздействия и многократность;

· Низкие затраты на эксплуатацию и обслуживание.

В настоящее время к средствам радиоэлектронного поражения относятся:

· СВЧ-генераторы (в эту группу входят виркаторы, релятивисткие магнитроны и взрывные магнитнокумулятивные генераторы);

· Лазерные средства поражения.

Средства радиоэлектронного поражения могут размещаться на стационарных объектах, в автомобилях или в небольших чемоданах (носимое исполнение).

Для объектов связи и информатизации России опасность в первую очередь представляют СВЧ-генераторы.

В настоящее время мощность излучения СВЧ-генераторов в импульсе может достигать 6,9 ГВт при длительности импульса 30-50 не и частоте излучения 1-12 ГГц, при этом дальность действия изменяется от нескольких метров до нескольких километров. Для диапазона частот 1-10 ГГц значение критической энергии, необходимой для поражения радиоэлектронной аппаратуры, составляет 0,1-1 мкДж, а на частотах выше 10 ГГц величина критической энергии может быть меньше - от 0,01 до 0,1 мкДж.

При анализе воздействия СВЧ-генераторов на радиоэлектронную аппаратуру систем связи необходимо выделить средства связи с внешней антенной и средства, у которых антенные устройства отсутствуют.

Радиоэлектронная аппаратура, имеющая внешнюю антенну, наиболее сильно подвергается воздействию СВЧ-генераторов, особенно в тех случаях, когда излучаемая генератором частота совпадает с рабочей частотой приемного тракта или лежит внутри полосы пропускания приемника. В этом случае функциональный отказ полупроводниковых элементов (детекторных или смесительных диодов, малошумящих транзисторных усилителей) практически гарантирован.

Радиоэлектронная аппаратура, у которой отсутствуют антенные устройства, подвергается воздействию СВЧ-генераторов через технологические щели (например, вентиляционные), а также индуктивным способом через линии электропитания, шины заземления и провода соединения. Проведенные экспериментальные исследования показывают, что наибольшей проникающей способностью обладают радиоволны сантиметрового и миллиметрового диапазонов.

СВЧ-генераторы, работающие в импульсном режиме, могут вносить помехи и в сложные системы кодирования и шифрования при передаче по ним сведений. В таких случаях один сбой на миллион операций может повлиять на расшифровку принимаемых сведений.

В зависимости от 'частоты излучения, мощности и длительности импульсов возможны следующие последствия воздействия СВЧ-генераторов:

· Снижения качества функционирования аппаратуры на время действия СВЧ-генераторов;

· Временная потеря работоспособности аппаратуры элементов радиоэлектроники из-за их перегрева или перебоя;

· Полная потеря работоспособности аппаратуры из-за выгорания элементов радиоэлектроники.