Різновиди

Лазер на p-n-переході. (Перший) Вкрай неефективні. Вимагають великої вхідної потужності, можуть працювати тільки в імпульсному режимі, інакше вони розплавляються. На практиці не застосовуються.

Лазери на гетеропереходах. У цих пристроях шар матеріалу з вужчою забороненою зоною розташовується між двома шарами матеріалу з ширшою забороненою зоною. За рахунок ПВВ, поле локалізується в активному шарі і підсилюється. Звуження області локалізації також впливає на порогове значення густини струму інжекції, та зменшення втрат.

Найчастіше використовують арсенід галію (GaAs) і арсенід алюмінію-галію (AlGaAs). Кожне з'єднання двох таких різних напівпровідників називається гетеро структурою.

Різниця між Ga_1-xAl_xAs та GaAs залежить від :

Лазер з розподіленим зворотнім зв’язком – це лазер, резонатор якого складається з активного середовища, що включає в себе дифракційну ґратку, яка являє собою розподілений відбивач в діапазоні довжин хвиль лазерної генерації і, зазвичай, виконується з рівномірним фазовим зсувом.

РЗЗ-лазери мають стабільну довжину хвилі випромінювання, яка визначається на етапі виробництва кроком насічки, але може трохи мінятися під впливом температури. Такі лазери — основа сучасних оптичних телекомунікаційних систем.

Конструкція РЗЗ-лазера може містити інтегровану ґратку, наприклад, гофрований хвилевід. Ґратка може бути виконана на поверхні активного шару.Або гофрована поверхня створюється в площині, яка знаходиться на деякій відстані від площини переходу.

Лазер з розподіленими дзеркалами Брегга – це лазер, де в якості дзеркал резонатора використовується як мінімум один розподілений бреггівський відбивач, що знаходиться поза активним шаром.

Ефект від дії дзеркала Брегга подібний до чвертьхвильового багатошарового діелектричного дзеркала, що забезпечує максимальний рівень відбивання для заданого числа шарів.

РДБ-лазер відрізняється від РЗЗ-лазера тим, що в активному середовищі останнього вбудована тільки одна структура з розподіленим відбивачем.

В інжекційних лазерах застосовують тільки прямо зонні напівпровідники з великою імовірністю випромінювального між зонного переходу з участю тих станів, які у першу чергу заповнюються під дією накачування. Для великої квантової ефективності необхідна кристалографічна досконалість матеріалу та відсутність у ньому хімічних домішок з глибокими рівнями у забороненій зоні.

Для області 0.8...0.9 мкм застосовують лазерні діоди на основі арсеніду та фосфіду галію. Як приклад системи, що генерує світло на довжині хвилі 1.3 мкм можна навести систему , що випромінюють в інтервалі від 1.1 до 1.6 мкм. Лазери на структурах випромінюють на довжинах хвиль близько 1.55 мкм.

Застосування:

• Діапазон можливих довжин хвиль генерації лазерів дуже великий і охоплює велику частину видимої, ближньої та середньої інфрачервоної області спектра. Деякі лазерні діоди також дозволяють перебудовувати довжину хвилі.

• Накачування для твердотільних лазерів.

• В передавачах оптоволоконних ліній.

• В різному вимірювальному устаткуванні, наприклад лазерних далекомірах.

• Зчитування штрих-кодів.

• Червоні і іноді зелені лазери — в цілівказівниках.

• Інфрачервоні і червоні лазери — в програвачах CD- і DVD-дисків.

• Сині лазери — в тих, що виходять в наш час на ринок пристроях HD-DVD і Blu-Ray.

• Спектроскопія.

• Обробка матеріалів.

• Медицина.

• Візуальні ефекти.