Экспериментальная часть. Снятие статических характеристик транзистора

1. Снятие статических характеристик транзистора

а) снятие входной характеристики транзистора: собрать схему рис. 2.1

Рис. 2.1

изменяя ток базы от 0 до 1 мА с шагом 0.2 мА записать показания вольтметра в таблицу 2.1

	Iб, мА		0.2	0.4	0.6	0.8
Uкэ=0 В	Uбэ
Uкэ=12 В	Uбэ

б) снятие выходной характеристики транзистора: собрать схему рис. 2.2

Рис. 2.2

Снять показания приборов и занести в таблицу 2.2

Таблица 2.2 Выходные характеристики транзистора

Iк	Uкэ=0	Uкэ=4В	Uкэ=8В	Uкэ=12В	Uкэ=16В	Uкэ=20В
Iб=0
Iб=0.1мА
Iб=0.3мА
Iб=0.5мА
Iб=0.7мА
Iб=0.9мА

По полученным данным таблиц 2.1 и 2.2 построить входные и выходные характеристики транзистора, рассчитать h- параметры транзистора

1. Исследование однокаскадного усилителя

а) Снятие амплитудной характеристики усилителя Uвых=f(Uвх)

Собрать схему рис. 2.3

Таблица 2.3 Амплитудная характеристика усилителя

	Uвх=0.1В	Uвх=0.2В	Uвх=0.4В	Uвх=0.6В	Uвх=0.8В	Uвх=1В
Uвых, В

б) Определить угол сдвига фаз между выходным и входным напряжения

6) Снять логарифмическую амплитудно-частотную характеристику усилителя с помощью Боде-плоттера.

Определить максимальный коэффициент усиления Кмакс, коэффициенты усиления на нижних и верхних частотах Кв Кн по уровню 3дБ, полосу пропускания усилителя ∆f=fв-fн. Записать результаты в таблицу 2.4

Таблица 2.4