Перечислите параметры системы кристалл - расплав, влияющие на качество кристалла при выращивании из расплава

Температура и ее градиент в расплаве и кристалле, форма и высота мениска, форма или высота расплавленной зоны, форма фронта кристаллизации, диаметр растущего монокристалла.

Назовите основные способы контроля параметров системы кристалл — расплав при выращивании кристаллов из расплава.

Использование телекамеры для наблюдения за границей раздела кристалл - мениск, использование весов, которые показывают массу штока + масса выращ. кристалла + масса мениска. Для контроля высоты мениска используют фотопирометр, который нацелен на нижнюю границу фронта кристаллизации.

Сформулируйте основные допущения при математическом описании распределения примеси в полупроводнике.

Использование математического моделирования позволяет получить выражение, описывающее распределение примеси по длине растущего монокристалла. Были сделаны следующие допущения:

- равновесие в твердой фазе устанавливается бесконечно долго, т.е. процессом диффузии вырожденного состояния можно пренебречь (D(T) = 0)

- процесс диффузии вырожденного состояния в жидкой фазе протекает мгновенно (D(ж) -> беск.)

- величина эффективного коэффициента распределения постоянна (К = const > V = const)

- при плавлении и затвердевании объем не меняется

- отсутствует обмен материалом между конденсированной и газовой фазами